[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910079289.X
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101825815A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括基板和多薄膜層，多薄膜層包括柵線、柵絕緣層、數據線、薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，還包括形成在所述基板和多薄膜層之間的黑矩陣。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述黑矩陣的寬度大于所述柵線和數據線的寬度。

3.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述黑矩陣材料為遮光的絕緣樹脂材料。

4.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述黑矩陣材料為遮光的金屬材料。

5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括形成在黑矩陣上方的黑矩陣絕緣層，所述黑矩陣絕緣層電性絕緣黑矩陣與柵線和數據線。

6.根據權利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述黑矩陣和黑矩陣絕緣層具有相同的形狀和尺寸。

7.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、采用同一掩模板通過構圖工藝在基板上形成包括黑矩陣、柵線和柵電極的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域的圖形；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于所述漏電極的上方；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

8.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：

在基板上沉積遮光的絕緣樹脂薄膜；

在完成前述步驟的基板上沉積柵金屬薄膜；

采用半色調或灰色調掩模板通過構圖工藝形成包括黑矩陣、柵線和柵電極的圖形，包括：在所述柵金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用半色調或灰色調掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區域、光刻膠完全去除區域和光刻膠半保留區域，光刻膠完全保留區域對應于柵線和柵電極圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于黑矩陣圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于黑矩陣圖形以外的區域；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的柵金屬薄膜和遮光的絕緣樹脂薄膜，形成黑矩陣圖形；通過灰化工藝，去除光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露出該區域的柵金屬薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區域的柵金屬薄膜，形成柵線和柵電極圖形；剝離剩余的光刻膠。

9.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：

在基板上沉積遮光的金屬材料；

在完成前述步驟的基板上沉積黑矩陣絕緣層；

在完成前述步驟的基板上沉積柵金屬薄膜；

采用半色調或灰色調掩模板通過構圖工藝形成包括黑矩陣、柵線和柵電極的圖形，包括：在所述柵金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用半色調或灰色調掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區域、光刻膠完全去除區域和光刻膠半保留區域，光刻膠完全保留區域對應于柵線和柵電極圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于黑矩陣圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于黑矩陣圖形以外的區域；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的柵金屬薄膜、黑矩陣絕緣層和遮光的金屬材料，形成黑矩陣圖形；通過灰化工藝，去除光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露出該區域的柵金屬薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區域的柵金屬薄膜，形成柵線和柵電極圖形；剝離剩余的光刻膠。