[發明專利]分離納米材料及制作納米電極的方法

有效

• 申請號: 200910079281.3
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101823687A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 李無瑕;顧長志
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種分離納米材料的方法，所述納米材料為一維納米材料，所述分 離納米材料的方法包括如下步驟：

1）將納米材料固定在樣品臺上，獲取所述納米材料與襯底的夾角；

2）根據所述納米材料與襯底的夾角，調整襯底與水平面和離子束入 射方向之間的夾角；

3）以步驟2）所確定的納米材料與襯底的位置，對所述納米材料進行 成像，根據成像結果劃定切割區域；

4）以步驟2）所確定的納米材料與襯底的位置，利用離子束對切割區 域進行切割掃描，直至納米材料被切斷；

所述步驟2）中，調整夾角時，使得所述離子束入射方向與納米材料的 長軸方向分別位于法線兩側；或者離子束入射方向與納米材料的長軸方向 位于法線同一側，且離子束入射方向與水平面夾角大于納米材料長軸方向 與水平面夾角，其中定義經過納米材料且垂直于水平面的平面為工作平 面，在工作平面內，垂直于水平面的線為所述法線。

2.根據權利要求1所述的分離納米材料的方法，其特征在于，所述步 驟1）中，包括通過初步掃描成像獲得納米材料與襯底的夾角。

3.根據權利要求1所述的分離納米材料的方法，其特征在于，所述步 驟2）中，調整夾角時，還使得所述納米材料不垂直于水平面。

4.根據權利要求3所述的分離納米材料的方法，其特征在于，所述步 驟2）中，調整夾角時，還使得所述納米材料與水平線的夾角在0°～60°范 圍內。

5.根據權利要求3所述的分離納米材料的方法，其特征在于，所述步 驟2）中，調整夾角時，還使得所述離子束入射方向與納米材料長軸方向的 夾角在30°～90°范圍內。

6.根據權利要求3所述的分離納米材料的方法，其特征在于，所述步 驟2）中，調整夾角時，還使得所述離子束入射方向與所述襯底的夾角在 30°～90°范圍內；或者使得所述離子束入射方向與所述襯底平行。

7.根據權利要求1所述的分離納米材料的方法，其特征在于，在所述 步驟3）中，所述切割區域位于所述納米材料的根部，所述根部為納米材 料與襯底的結合部，所述切割區域為矩形區域，所述矩形區域長為所述納 米材料根部橫截面長度的2~4倍，寬度為所述納米材料根部橫截面寬度的 1~3倍。

8.根據權利要求1所述的分離納米材料的方法，其特征在于，在所述 步驟4）中，所述離子束的束流為pA到nA的量級。

9.根據權利要求1至8中任意一項所述的分離納米材料的方法，其特 征在于，分離納米材料的方法利用雙束掃描電子顯微鏡/聚焦離子束系統或 單束聚焦離子束系統實現。

10.一種制作納米電極的方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）利用權利要求1至8中任意一項所述的分離納米材料的方法對納米 材料進行切割，使得所述納米材料著陸在所述襯底上；

2）對著陸在所述襯底上的納米材料進行加工制備成納米電極。