[發明專利]一種與總劑量輻射相關的器件建模方法有效
| 申請號： | 200910078910.0 | 申請日： | 2009-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN101551831A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發明（設計）人： | 王亮;岳素格;孫永姝 | 申請（專利權）人： | 北京時代民芯科技有限公司;中國航天時代電子公司第七七二研究所 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 | 代理人： | 安 麗 |
| 地址： | 100076北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 劑量 輻射 相關 器件 建模 方法 | ||
1.一種與總劑量輻射相關的器件建模方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)設計電子器件作為原始電子器件；
(2)根據步驟(1)設計的原始電子器件進行測試獲得原始電子器件的測試數據，根據測試數據對原始電子器件進行模型提取，得到原始電子器件的器件模型；
(3)對步驟(1)設計的原始電子器件分別采用不同目標累積劑量進行輻照；
(4)對經過不同目標累積劑量輻照的原始電子器件分別進行測試得到新的測試數據，根據新的測試數據對經過輻照后的原始電子器件分別進行模型提取，獲得經過全部目標累積劑量輻照后的電子器件模型；
(5)由步驟(2)獲得的原始電子器件的器件模型和步驟(4)得到的經過全部目標累積劑量輻照后的電子器件模型共同構成與總劑量輻射相關的器件模型，從而完成與總劑量輻射相關的器件建模過程。
2.根據權利要求1所述的一種與總劑量輻射相關的器件建模方法，其特征在于：所述的原始電子器件為相同種類不同尺寸的多個電子器件。
3.根據權利要求1所述的一種與總劑量輻射相關的器件建模方法，其特征在于：所述的原始電子器件為非加固器件、或加固器件。
4.根據權利要求1所述的一種與總劑量輻射相關的器件建模方法，其特征在于：所述步驟(3)中的不同目標累積劑量輻照在應用環境的劑量率下進行或者在高于應用環境的劑量率下進行，在高于應用環境的劑量率下進行輻照后需進行退火處理。
5.根據權利要求4所述的一種與總劑量輻射相關的器件建模方法，其特征在于：所述高于應用環境的劑量率為100rad(Si)/s，在該劑量率下進行輻照后進行168小時100℃高溫退火處理。
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