[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910078874.8
• 申請日: 2009-03-04
• 公開（公告）號: CN101825814A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 黃應龍
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線和數據線，所述柵 線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所 述像素區域內形成有“U”型擋光結構，所述“U”型擋光結構包括公共電極 線、第一擋光條和第二擋光條，公共電極線的兩端分別連接第一擋光條和第 二擋光條，在像素區域的上部，所述像素電極與柵線、薄膜晶體管的柵電極 交疊，在像素區域的下部，像素電極完全覆蓋公共電極線，且像素電極的下 邊緣位于柵線與公共電極線之間，在像素區域下部的柵線與公共電極線之間 的距離為4.5μm～5.5μm，公共電極線的寬度為4.5μm～5.5μm。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電 極線與柵線平行，并位于像素區域的下部，所述第一擋光條和第二擋光條與 數據線平行，并位于所述公共電極線的兩側。

3.根據權利要求1～2中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征 在于，像素電極與柵線和薄膜晶體管的柵電極的交疊寬度為2.5μm～3.5μm。

4.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵線、柵電 極、公共電極線、第一擋光條和第二擋光條的圖形，其中公共電極線、第一 擋光條和第二擋光條為一體結構的“U”型擋光結構，公共電極線的兩端分別 連接第一擋光條和第二擋光條；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導 體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、漏電極、 源電極和TFT溝道的圖形；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成包括鈍 化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成 包括像素電極的圖形，像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，且在像素區 域的上部，像素電極與柵線和柵電極交疊，在像素區域的下部，像素電極完 全覆蓋公共電極線，且像素電極的下邊緣位于柵線與公共電極線之間，所述 公共電極線與柵線之間的距離為4.5μm～5.5μm，所述公共電極線的寬度為 4.5μm～5.5μm。

5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所 述公共電極線位于像素區域的下部并與柵線平行，所述第一擋光條和第二擋 光條與柵線垂直并位于所述公共電極線的兩側，所述公共電極線的兩端分別 連接第一擋光條和第二擋光條，形成“U”型擋光結構。

6.根據權利要求4或5所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于， 所述像素電極與柵線和柵電極的交疊寬度為2.5μm～3.5μm。