[發明專利]半色調掩模版及其制造方法有效
| 申請號: | 200910078205.0 | 申請日: | 2009-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN101813881A | 公開(公告)日: | 2010-08-25 |
| 發明(設計)人: | 郭建;周偉峰;明星 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/08 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 色調 模版 及其 制造 方法 | ||
1.一種半色調掩模版,包括基板,所述基板包括有效區域和無效區域, 所述有效區域包括半色調區域、不透光區域和完全透光區域,所述有效區域 以外的區域為所述無效區域,其特征在于,所述半色調區域形成有用于進行 透光率調節的半色調區域層;所述半色調區域層為采用熱致變色材料形成的 熱致變色薄膜;所述熱致變色材料包括二氧化釩;在所述基板的無效區域或 所述不透光區域,形成有用于進行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路。
2.根據權利要求1所述的半色調掩模版,其特征在于,所述溫控電路包 括:與所述熱致變色薄膜接觸并進行熱傳導的電阻器,以及與所述電阻器連 接的、用于對所述電阻器進行通電控制的控制電路。
3.根據權利要求1所述的半色調掩模版,其特征在于,所述熱致變色薄 膜的厚度為
4.一種半色調掩模版的制造方法,其特征在于,包括在基板預設的有效 區域上形成不透光區域層和用于進行透光率調節的半色調區域層;
采用熱致變色材料形成作為所述半色調區域層的熱致變色薄膜;所述熱 致變色材料包括二氧化釩;
所述基板的所述有效區域以外的區域為所述基板的無效區域;在所述基板的無 效區域或者在不透光區域,形成用于進行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路。
5.根據權利要求4所述的半色調掩模版的制造方法,其特征在于,形成 所述不透光區域層和半色調區域層包括:
在基板上先形成不透光區域層,并在形成有所述不透光區域層的基板上 形成半色調區域層;或者
在基板上先形成半色調區域層,并在形成有所述半色調區域層的基板上 形成不透光區域層。
6.根據權利要求4所述的半色調掩模版的制造方法,其特征在于,所述 形成用于進行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路,包括:
形成與所述熱致變色薄膜接觸并進行熱傳導的電阻器,以及與所述電阻 器連接的、用于對所述電阻器進行通電控制的控制電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京京東方光電科技有限公司,未經北京京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910078205.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:嵌合熔接式隔膜及制備方法
- 下一篇:食品處理機交互剪切式粉碎刀具結構
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





