[發(fā)明專利]一種對閃存進行數(shù)據(jù)編程的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910077695.2 | 申請日: | 2009-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN101800077A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 潘榮華 | 申請(專利權(quán))人: | 北京芯技佳易微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 蘇培華 |
| 地址: | 100084 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 閃存 進行 數(shù)據(jù) 編程 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種對閃存進行數(shù)據(jù)編程的方法和裝置。?
背景技術(shù)
閃存(Flash)是一種用于存儲數(shù)據(jù)的存儲裝置,其具有即使停止電源供應(yīng)也保持數(shù)據(jù)未受到擦除的特性(非易失性)。由于此原因,所以閃存已被用作諸如移動電話、PDA及MP3播放器之類的電子產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲裝置,并且具有應(yīng)用越來越廣泛的趨勢。?
一般來說,F(xiàn)lash可以分為NOR型Flash及NAND型Flash。它們的共同之處在于:數(shù)據(jù)通過編程操作存儲(寫入數(shù)據(jù)),且通過擦除操作擦除。二者都是是電壓控制型器件,NAND型Flash的擦和寫均是基于隧道效應(yīng),電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層,對浮置柵極進行充電(寫數(shù)據(jù))或放電(擦除數(shù)據(jù))。而NOR型Flash擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)(電流從浮置柵極到硅基層),但在寫入數(shù)據(jù)時則是采用熱電子注入方式(電流從浮置柵極到源極)。?
一般的,如果執(zhí)行編程操作,則Flash存儲單元(cell)的閾值電壓升高;相反,如果進行擦除操作,則該Flash存儲單元的閾值電壓降低。例如,在NAND類型的Flash中,如果執(zhí)行編程操作,則存儲單元的閾值電壓增加至高于0V。如果執(zhí)行擦除操作,則存儲單元的閾值電壓降低至低于0V。?
參見圖1,簡單描述現(xiàn)有的對Flash進行編程操作的過程。?
步驟101、數(shù)據(jù)輸入步驟;?
步驟102、對當前字節(jié)進行數(shù)據(jù)驗證;?
步驟103、如果該字節(jié)需要編程,則對其進行編程,然后返回步驟102;?
步驟104、如果該字節(jié)驗證通過,即所存儲的數(shù)據(jù)與所需寫入的數(shù)據(jù)相同,不需要編程操作了,則結(jié)束對該字節(jié)的編程操作,進入下一字節(jié)的編程過程。?
針對每個所需編程的字節(jié),重復(fù)完成上述的步驟102到104,就可以實?現(xiàn)對Flash的編程操作了。?
但是在實際應(yīng)用中,上述編程操作過程存在一些問題和缺陷。具體的,在編程過程中,當對一個字節(jié)編程完成之后需要對其編程結(jié)果進行驗證,如果驗證不通過的話,還需要對該字節(jié)重新進行編程操作。由于在這個過程中,編程操作和驗證操作對控制Flash的cell的柵極和漏極所加的電壓是不同的,當對單字節(jié)操作(一個字節(jié)位對應(yīng)一個cell)時,不停的切換控制柵極和漏極電壓將極大的影響編程速度。?
例如,對于NOR型Flash而言,在編程操作時,柵極和漏極所加的電壓分別大約是:9.0V和4.2V,而在驗證操作時,柵極和漏極所加的電壓分別是:5.5V和1.0V。柵極電壓和漏極電壓分別由電壓泵產(chǎn)生,電壓在大幅度切換的時候,需要充放電的時間。由于現(xiàn)有技術(shù)中的電壓切換次數(shù)較多,充放電時間加起來就比較可觀,嚴重影響編程速度。?
總之,目前需要本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個技術(shù)問題就是:如何能夠提出一種改進型的編程操作方法,可以提高現(xiàn)有的Flash編程速度。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種對閃存Flash進行數(shù)據(jù)編程的方法和裝置,其可以基于Flash的一個整頁進行數(shù)據(jù)編程,減少控制柵極和漏極的電壓的切換次數(shù),從而可以提高現(xiàn)有的Flash編程速度。?
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施例公開了一種對閃存進行數(shù)據(jù)編程的方法,包括以下步驟:?
步驟a、數(shù)據(jù)輸入步驟;?
步驟b、驗證整個當前頁,獲取其中需要進行編程的字節(jié),并記錄至相應(yīng)的緩沖存儲器;如果在當前頁中沒有需要進行編程的字節(jié),則結(jié)束對當前頁的數(shù)據(jù)編程,進入下一頁;?
步驟c、依據(jù)所述緩沖存儲器所記錄的信息,依次對相應(yīng)的字節(jié)進行編程;如果對當前頁中所需編程的字節(jié)均已編程,則返回步驟b;否則,繼續(xù)執(zhí)行步驟c,對下一字節(jié)進行操作。?
優(yōu)選的,對于步驟b,還可以包括:當所輸入的數(shù)據(jù)均已編程完畢時,則無需進入下一頁,結(jié)束整個編程操作。?
優(yōu)選的,通過以下步驟驗證整個當前頁:從該頁的起始地址開始以字節(jié)為單位,?
第1步驟,比較需要向該字節(jié)寫入的數(shù)據(jù)和該字節(jié)已存儲的數(shù)據(jù);?
第2步驟,將比較結(jié)果寫入與該字節(jié)地址相對應(yīng)的緩沖存儲器的相應(yīng)位置;?
重復(fù)上述第1步驟和第2步驟,直至驗證完整個當前頁。?
優(yōu)選的,當進行操作的當前字節(jié)的地址為當前頁的最后一個地址時,判定為對當前頁中所需編程的字節(jié)均已編程。?
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