[發(fā)明專利]一種對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910077528.8
• 申請(qǐng)日: 2009-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101783394A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉舸;劉明;劉興華;商立偉;王宏;柳江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L51/40
• 分類號(hào): H01L51/40;H01L51/10;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1、在導(dǎo)電硅基底上熱氧化生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)薄膜；

步驟2、在絕緣介質(zhì)薄膜表面上真空蒸鍍一層有機(jī)半導(dǎo)體材料；

步驟3、在有機(jī)半導(dǎo)體材料上通過(guò)漏版用電子束蒸發(fā)蒸鍍一層金屬鎳，并讓金屬鎳在空氣中自然氧化成氧化鎳；

步驟4、繼續(xù)通過(guò)漏版用電子束蒸發(fā)蒸鍍金屬電極，完成器件的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，步驟1中所述導(dǎo)電硅基底是電阻率低的導(dǎo)電材料，用于作為有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，步驟1中所述在導(dǎo)電硅基底上熱氧化生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)薄膜，是采用熱氧化生長(zhǎng)的方法或化學(xué)氣相沉積的方法獲得的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，步驟2中所述有機(jī)半導(dǎo)體材料是采用真空蒸鍍的方法的得到的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，步驟2中所述有機(jī)半導(dǎo)體材料的厚度是50nm，且有機(jī)半導(dǎo)體材料選用的是肽菁銅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，步驟3中所述金屬鎳是通過(guò)電子束蒸發(fā)得到的，厚度為7nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，其特征在于，步驟4中所述金屬電極采用的是金，厚度為50nm。