[發明專利]一種用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路

有效

• 申請號: 200910077527.3
• 申請日: 2009-01-21
• 公開（公告）號: CN101783183A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: 余兆安;龍世兵;劉明;張森;劉琦;柳江
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路，其特征在于，該 限流電路至少包括電壓比較器、單刀雙擲模擬開關、RRAM器件和限流 MOS管；其中，讀寫擦脈沖信號被分為兩路輸入到本電路中，一路信號 輸入到電壓比較器中，用于區分讀寫擦電壓，依據讀寫擦脈沖信號的操作 電平來調節所述電壓比較器的參考電壓，并將所述電壓比較器輸出的電平 作為所述單刀雙擲模擬開關的控制信號，通過此控制信號，來決定在此操 作電壓下是否把RRAM器件選通到所述限流MOS管支路；另一路信號直 接加到待測的RRAM器件上，提供操作電壓。

2.根據權利要求1所述的用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路， 其特征在于，所述電壓比較器進一步連接一可調的參考電壓產生電路，該 可調的參考電壓產生電路采用三端可調集成穩壓器，并接入可變電阻和負 電壓，使其從正電壓到負連續可調。

3.根據權利要求1所述的用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路， 其特征在于，在所述限流MOS管的柵極端，進一步連接一可調的柵電壓 產生電路，該可調的柵電壓產生電路是由基準電壓源、集成運算放大器和 可變電阻所組成，用于產生精確的柵壓控制信號，從而能精確控制源漏電 流。

4.根據權利要求1所述的用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路， 其特征在于，所述限流MOS管是小信號MOS管，使源漏電流能控制在 1mA的范圍內。

5.根據權利要求1所述的用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路， 其特征在于，所述輸入到本電路中的讀寫擦脈沖信號是由脈沖發生器產生 的。

6.根據權利要求1所述的用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路， 其特征在于，該限流電路進一步包括多個外圍接口，該多個外圍接口包括 BNC接口和TBC接口，所述BNC接口方便與脈沖發生器直接相連，所述 TBC接口則方便與矩陣開關及半導體電流電壓測試儀相連。