[發明專利]用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法

無效

• 申請號: 200910077517.X
• 申請日: 2009-01-21
• 公開（公告）號: CN101783658A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: 李晶晶;趙以貴;朱效立;李東梅;賈銳;謝常青
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03H3/08
• 分類號: H03H3/08;B81C1/00;G01N29/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，該方法利用電子束直寫光刻技術制備出具有亞微米尺寸聲表面波延遲線圖形作為X射線曝光掩模板，然后在壓電基片上采用X射線曝光得到凹立的延遲線圖形，通過電子束蒸發、剝離形成亞微米尺寸聲表面波延遲線。

2.根據權利要求1所述的用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：

步驟1、采用電子束光刻、電鍍在自支撐薄膜上制作具有亞微米尺寸聲表面波延遲線圖形；

步驟2、在石英基片上懸涂光刻膠；

步驟3、通過X射線曝光將聲表面波延遲線圖形轉移到光刻膠上；

步驟4、顯影、定影，去殘膠得到凹立的延遲線圖形；

步驟5、蒸發并剝離金屬，完成用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作。

3.根據權利要求2所述的用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，步驟1中所述在自支撐薄膜上制作具有亞微米尺寸聲表面波延遲線圖形后，進一步包括：

通過電鍍金屬，形成X射線曝光所需的阻擋層，阻擋層的厚度為300～500nm。

4.根據權利要求2所述的用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，步驟2中所述在石英基片上懸涂光刻膠，進一步在光刻膠與石英之間涂敷增粘劑。

5.根據權利要求2所述的用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，步驟3中所述X射線曝光采用的光源為同步輻射光源，自支撐的X射線曝光模版作為光刻版，在壓電基片上進行接觸式曝光。

6.根據權利要求2所述的用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，步驟4中所述顯影以后進一步使用反應離子刻蝕方法去除殘膠，防止電子束蒸發、剝離金屬時形成缺陷。

7.根據權利要求2所述的用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，其特征在于，步驟5中所述蒸發并剝離金屬，采用電子束蒸發金屬，然后采用剝離工藝去除金屬，形成最終的可用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作。