[發明專利]一種有機分子線和制備方法

無效

• 申請號: 200910076943.1
• 申請日: 2009-01-14
• 公開（公告）號: CN101775004A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 趙淼;江鵬;江潮
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: C07D339/06
• 分類號: C07D339/06;B82B3/00;B82B1/00
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 高存秀

1.一種有機分子線，包括四硫富瓦烯及其衍生物，其特征在于，還包括一襯底，在所述的襯底表面，所述的四硫富瓦烯及其衍生物沿系統能量最低的方向π-π堆積而成，該有機分子線中分子間距為0.5nm-0.8nm，分子線的長度為40nm-400nm，寬度為0.8nm-1.2nm；該有機分子線在襯底表面具有單層雙分子線結構或有單線結構；分子線與分子軸呈60°或120°夾角，所述的四硫富瓦烯及其衍生物包括四硫富瓦烯、4,4’-二苯基四硫富瓦烯、雙-4,5-二氫萘酚四硫富瓦烯或4,4’-二甲基-5,5’-二苯基四硫富瓦烯。

2.按權利要求1所述的有機分子線，其特征在于，所述的襯底為高溫熱解石墨或硅片。

3.一種制備權利要求1所述的有機分子線的方法，在室溫或室溫以下進行，包括如下步驟：

1）配制含四硫富瓦烯及其衍生物的烷烴溶液：將四硫富瓦烯及其衍生物溶解于烷烴類溶劑中，得到濃度為0.05-0.5mg/ml的含四硫富瓦烯及其衍生物的烷烴溶液；并且用超聲儀超聲10分鐘以上，使四硫富瓦烯及其衍生物均勻地分散溶解于溶劑中；

2）清潔處理襯底：選擇表面原子級平整的襯底，經過常規半導體制造工藝的清洗工藝清洗干凈或表面解理方法，得到清潔處理后的襯底備用；

3）生長有機分子線：將步驟1）制備好含四硫富瓦烯及其衍生物的烷烴溶液，滴到步驟2）準備好的干凈平整的襯底表面,待溶液在襯底表面擴散穩定后，得到一維有序的四硫富瓦烯及其衍生物分子線。

4.按權利要求3所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的襯底為高溫熱解石墨或硅片。

5.按權利要求3所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的烷烴類溶劑為正十四烷或正十二烷。

6.按權利要求3所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的四硫富瓦烯及其衍生物的純度≥98%；所述的烷烴類溶劑純度≥99%。?