[發(fā)明專利]一種擴散阻擋層薄膜的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910073011.1 | 申請日： | 2009-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN101673705A | 公開（公告）日： | 2010-03-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李宜彬;赫曉東;呂宏振;孫玉芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 | 代理人： | 韓末洙 |
| 地址： | 150001黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 擴散 阻擋 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法是由下述步驟實現(xiàn)的：一、將硅基片放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔中，然后利用等離子體對硅基片進行清洗；二、在氮氣和氬氣的氣氛下，以釕和鈦作為陰極采用磁控共濺射法對經(jīng)步驟一處理的硅基片進行沉積600s，其中沉積過程中，靶陰極釕的濺射功率均為100W，靶陰極鈦的濺射功率為100～220W，氬氣的流量為10～25sccm，氮氣的流量為5～20sccm，工作氣壓固定為10mTorr；三、以10℃/min升溫速率升溫至400～700℃，保溫對經(jīng)步驟二處理的硅基片進行退火60min，真空條件下冷卻至室溫；即得到Ru-TiN擴散阻擋層薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中所述硅基片為單晶硅拋光片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中所述靶陰極鈦的濺射功率為130～190W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中所述靶陰極鈦的濺射功率為160W。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中所述氬氣的流量為15sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中所述氬氣的流量為20sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟三中退火溫度為500℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6所述的一種Ru-TiN擴散阻擋層薄膜的制備方法，其特征在于步驟三中退火溫度為600℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
