[發明專利]一種制備BiFeO3薄膜的方法無效
| 申請號： | 200910072848.4 | 申請日： | 2009-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN101691655A | 公開（公告）日： | 2010-04-07 |
| 發明（設計）人： | 李宜彬;赫曉東;呂宏振 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 榮玲 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 bifeo sub 薄膜 方法 | ||
1.一種制備BiFeO3薄膜的方法，其特征在于制備BiFeO3薄膜的方法按照以下步驟進行：一、Bi1.1FeO3靶材和Fe靶材同時將Bi1.1FeO3和Fe濺射到Pt/Ti/SiO2/Si基體上，控制Bi1.1FeO3靶材的濺射功率密度為1.8～2.2W/cm2，控制Fe的濺射功率密度為0.66～1.1W/cm2，濺射過程中通入氬氣和氧氣的混合體，其中氬氣和氧氣的體積比為1∶1～4∶1，氣壓為1.5Pa，Pt/Ti/SiO2/Si基體溫度為200～500℃；二、將步驟一濺射結束后的Pt/Ti/SiO2/Si基體置于氧氣氣氛下，以50℃/s的速度加熱至400～700℃保溫5min，控制氣壓為1.013×105Pa，然后冷卻至室溫，即制備得到BiFeO3薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種制備BiFeO3薄膜的方法，其特征在于步驟一中控制Bi1.1FeO3靶材的濺射功率密度為1.8W/cm2。
3.根據權利要求1或2所述的根據權利要求1所述的一種制備BiFeO3薄膜的方法，其特征在于步驟一中控制Fe靶材的濺射功率密度為1.06W/cm2。
4.根據權利要求3所述的一種制備BiFeO3薄膜的方法，其特征在于步驟一中Pt/Ti/SiO2/Si基體的濺射壓強為1.5Pa，Pt/Ti/SiO2/Si基體的濺射溫度為450℃。
5.根據權利要求1、2或4所述的一種制備BiFeO3薄膜的方法，其特征在于步驟二中退火時間為5min，溫度為600℃。
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