[發明專利]低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法

無效

• 申請號: 200910072820.0
• 申請日: 2009-09-08
• 公開（公告）號: CN101659392A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 費維棟;遲慶國;李偉力
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;C04B35/462;C04B35/491;C04B35/495;C04B35/622
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 金永煥

1、低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于制備織構可控的鉛基鐵電薄膜按以下步驟實現：一、在基底上沉積一層厚度為5～20nm的鈦酸鑭鈣鉛系鐵電薄膜，然后在溫度為400～450℃條件下進行退火結晶處理，得種子層薄膜A；二、在種子層薄膜A上繼續沉積一層厚度為200～300nm的鈦酸鉛系鐵電薄膜，然后在溫度為450～700℃條件下進行退火結晶處理，得織構可控的鉛基鐵電薄膜；其中步驟一中鈦酸鑭鈣鉛系鐵電薄膜的分子式為(Pb_1-x-yLa_xCa_y)Ti_1-x/4O₃，其中0≤X≤0.24，0≤Y≤0.24；步驟二中鈦酸鉛系鐵電薄膜為鈦酸鉛鐵電薄膜、鋯鈦酸鉛鐵電薄膜或鈮-鋯鈦酸鉛鐵電薄膜。

2、根據權利要求1所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟一中基底為Pt/Ti/SiO₂/Si基底。

3、根據權利要求1或2所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟一中以5～10℃/s的升溫速度升溫至400～450℃。

4、根據權利要求3所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟一中0.10＜X＜0.20。

5、根據權利要求3所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟一中X＝0.15。

6、根據權利要求1、2、4或5所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟一中0.10＜Y＜0.20。

7、根據權利要求1、2、4或5所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟一中Y＝0.15。

8、根據權利要求7所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟二中在薄膜A上繼續沉積一層厚度為250nm的鈦酸鉛系鐵電薄膜。

9、根據權利要求1、2、4、5或8所述的低結晶溫度下制備織構可控的鉛基鐵電薄膜的方法，其特征在于步驟二中以5～80℃/s升溫速度升溫至450～700℃。