[發明專利]SiC納米線的制備方法

有效

• 申請號: 200910072598.4
• 申請日: 2009-07-27
• 公開（公告）號: CN101597059A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 溫廣武;黃小蕭;張曉東;王聲函;馬飛翔;李峰;朱建東
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36;B82B3/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 榮 玲

1.SiC納米線的制備方法，其特征在于SiC納米線的制備方法按照以下步驟進行：一、將單晶硅片放入質量濃度為3％～7％的氫氟酸溶液中浸泡處理10～24h，其中，單晶硅片與氫氟酸溶液的重量比為1∶0.8～5；二、將金屬納米粉催化劑放入質量濃度為5％～10％的鹽酸溶液中，在超聲頻率為10～50Hz的條件下超聲分散4～6min，即得到分散液，其中金屬納米粉催化劑與質量濃度為5％～10％的鹽酸溶液的重量比為1∶0.8～3；三、將步驟一處理后的單晶硅片放入到步驟二的分散液中浸泡處理10～60s，其中，單晶硅片與分散液的重量比為1∶0.8～4；四、將步驟三中的單晶硅片和石墨按1∶0.5～1重量比置于氣氛燒結爐中，抽真空，直至氣氛燒結爐內的壓強達到0.1～1Pa為止，再向氣氛燒結爐中充入氬氣至氣氛燒結爐中的壓強達到0.1～0.5MPa，控制燒結爐的升溫速率為10～15℃/min至燒結爐內的溫度為800～1200℃，保溫燒結1～4h，然后隨爐冷卻至室溫即得到SiC納米線,其中，步驟二中的金屬納米粉催化劑中的金屬為鋁、金或鎳。

2.根據權利要求1所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于步驟一中的單晶硅片與氫氟酸溶液的重量比為1∶1.5～3.5。

3.根據權利要求1或2所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于步驟二中金屬納米粉催化劑與質量濃度為5％～10％的鹽酸溶液的重量比為1∶1.5～2.5。

4.根據權利要求3所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于步驟三中單晶硅片放入分散液中浸泡處理20～40s。

5.根據權利要求1、2或4所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于步驟四中單晶硅片和石墨按1∶0.6～0.9重量比置于氣氛燒結爐中。?