[發(fā)明專利]鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910072016.2
• 申請(qǐng)日: 2009-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN101561407A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈錚;姜利祥;李濤;劉向鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/12
• 分類號(hào): G01N27/12
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 韓末洙

1.鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于鋨膜電阻線原子氧傳感器芯 片的制造方法是按下述步驟完成的：一、用物理氣相沉積法在基片上依次沉積鉻膜和金膜； 二、然后在金膜表面上電鍍鋨膜；三、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜后在鋨膜表面形成 線形的光刻膠圖案；四、然后用電化學(xué)陽(yáng)極溶解法刻蝕鋨膜；五、再用濕化學(xué)法刻蝕金膜， 經(jīng)去膠后在基片表面形成鋨膜電阻線，得到鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片；其中步驟一中鉻 膜的厚度為5～20nm；步驟二中鋨膜的厚度為0.2～100μm，步驟四中鋨膜電阻線寬為1～2000 μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于步驟 一中所述的基片是玻璃、氧化鋁基片或硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在 于步驟二中將經(jīng)步驟一處理的基片放入65～75℃的電鍍液中，在電流密度為1.0～2.5A/dm²條件下電鍍獲得厚度為0.2～100μm的鋨膜，其中電鍍液主要由(NH₄)₂OsCl₆、NH₂SO₃H、 NH₂SO₃NH₄和水組成，(NH₄)₂OsCl₆的濃度為5～15g/L，NH₂SO₃H的濃度為20～30g/L， NH₂SO₃NH₄的濃度為5～15g/L；或者步驟二中將經(jīng)步驟一處理的基片放入70～85℃的電鍍 液中，在電流密度為0.5～2.5A/dm²條件下電鍍獲得厚度為0.2～100μm的鋨膜，其中電鍍液 主要由OsO₄、NH₂SO₃H和水組成，電鍍液的pH值＝13.5～14，OsO₄的濃度為1～3g/L， NH₂SO₃H的濃度為1～30g/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的電鍍液還包括去針孔劑，去針孔劑的濃度為0.01～10g/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的去針孔劑為十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉或雙氧水。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或5所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其 特征在于步驟三中所述的光刻膠為正性光刻膠或負(fù)性光刻膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于步 驟四中所述的電化學(xué)陽(yáng)極溶解法為線性電勢(shì)掃描法、恒電勢(shì)電解法、微分脈沖伏安法、方 波伏安法、交流伏安法或方波電勢(shì)法；電化學(xué)陽(yáng)極溶解法刻蝕鋨膜用的電解液是濃度為 0.005～10mol/L的硫酸溶液。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的線性電勢(shì)掃描法的掃描電勢(shì)上限控制為相對(duì)于飽和甘汞電極0.7～1.4伏，掃描次數(shù)為 1～10次。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的恒電勢(shì)電解法的電極電勢(shì)恒定在相對(duì)于飽和甘汞電極0.7～1.4伏，電勢(shì)恒定時(shí)間為 2～1800秒。

10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5、7、8或9所述的鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制 造方法，其特征在于步驟五中所述的濕化學(xué)法刻蝕金膜為碘化鉀刻蝕、雙氧水刻蝕或氰化 物刻蝕。