[發(fā)明專利]多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的近凈尺寸制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910071698.5
• 申請(qǐng)日: 2009-04-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101531538A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈德昌;邵穎峰;周玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C04B38/00
• 分類號(hào): C04B38/00;C04B35/584;C04B35/597;C04B41/87
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 單 軍

1.多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的近凈尺寸制備方法，其 特征在于多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的近凈尺寸制備方法按 以下步驟實(shí)現(xiàn)：一、按重量份數(shù)比將92～96份的氮化硅、3～6份的氧 化釔和1～2份的氧化鋁混合，按凝膠注模成型方法來(lái)制備多孔氮化硅 生坯；二、將步驟一制得的產(chǎn)物在氬氣或氮?dú)鈿夥障拢?0～15℃/min 的升溫速率升溫至1350～1400℃，在1350～1400℃溫度下預(yù)燒結(jié) 15～60min；三、將步驟二制得的產(chǎn)物放入真空腔內(nèi)，將真空腔抽至真 空后把硅溶膠引入真空腔中，浸漬2～4h，取出后在55～65℃下凝膠化 15～25h，然后在115～125℃下干燥3～5h；四、重復(fù)步驟三1～2次；五、 將步驟四制得的產(chǎn)物在氬氣或氮?dú)鈿夥障拢?0～15℃/min的升溫速 率升溫至1500～1700℃，在1500～1700℃下燒結(jié)30～60min，即得多孔 氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料；其中步驟三、四中硅溶膠的固相質(zhì) 量百分比為5％～50％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的 近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟二中預(yù)燒結(jié)溫度為 1360～1380℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材 料的近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟二中預(yù)燒結(jié)時(shí)間為 30～50min。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的 近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟三中浸漬時(shí)間為2.5～3.5h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù) 合材料的近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟三中凝膠化溫度為 58～63℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的 近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟三中凝膠化時(shí)間為18～23h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或6所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷 復(fù)合材料的近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟三中干燥溫度為 118～123℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料的 近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟三中干燥時(shí)間為3.5～4.5h。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、6或8所述的多孔氮化硅/氧氮化硅 陶瓷復(fù)合材料的近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟五中燒結(jié)溫度為 1550～1650℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷復(fù)合材料 的近凈尺寸制備方法，其特征在于步驟五中燒結(jié)時(shí)間為40～50min。