[發明專利]TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法無效
| 申請號： | 200910071350.6 | 申請日： | 2009-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN101496907A | 公開（公告）日： | 2009-08-05 |
| 發明（設計）人： | 高智勇;趙興科;隋解和;蔡偉;吳冶 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | A61L27/12 | 分類號： | A61L27/12;A61F2/82;A61L27/06 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 | 代理人： | 單 軍 |
| 地址： | 150001黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tini 合金 支架 注磷后慢 中子 輻照 活化 方法 | ||
1、TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法按以下步驟實現：一、化學拋光：將TiNi合金支架放入溫度為40～60℃的HF/HNO3/H2O體系中浸泡5～15s，再放入丙酮中超聲波清洗20～60min，然后吹干；二、注磷：采用紅磷為離子源，將離子源加熱蒸發汽化，脈沖高壓使之離子化，然后在注入電壓為30～90KV，注入量為4×1017P/cm2、脈沖電流為20～30A，頻率為100～200Hz，脈沖寬度為40～60μs，一柵為0.3～1kV，二柵為0.5～1.5kV的條件下注磷；三、慢中子輻照活化：在慢中子通量為5.88×1017n/m2s、慢中子輻照劑量為1.69×1022n/m2的條件下輻照6～12h，即得注磷的TiNi合金支架；其中步驟一HF/HNO3/H2O體系由HF、HNO3和H2O按重量份數1:2:10混合。
2、根據權利要求1所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟一中溫度為45～55℃。
3、根據權利要求1或2所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟一中浸泡時間為7～13s。
4、根據權利要求3所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟一中超聲波清洗25～50min。
5、根據權利要求1、2或4所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟二中注入電壓為40～80KV。
6、根據權利要求5所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟二中脈沖電流為22～28A。
7、根據權利要求1、2、4或6所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟二中頻率為120～180Hz。
8、根據權利要求7所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟二中脈沖寬度為45～55μs。
9、根據權利要求1、2、4、6或8所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟二中一柵為0.5～0.8kV。
10、根據權利要求9所述的TiNi合金支架注磷后慢中子輻照活化的方法，其特征在于步驟二中二柵為0.7～1.2kV。
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