[發(fā)明專利]一種以中子輻照的碳化硅晶體為傳感器的測(cè)溫方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910069820.5
• 申請(qǐng)日: 2009-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101598606A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阮永豐;張興;馬鵬飛;薛秀生;李文潤(rùn);張玉新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司沈陽(yáng)發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)研究所;天津大學(xué)
• 主分類號(hào): G01K11/30
• 分類號(hào): G01K11/30
• 代理公司: 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 侯 力

1.一種以中子輻照的碳化硅晶體為傳感器的測(cè)溫方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

第一、將選用的摻氮的α型6H-SiC碳化硅晶體加工成便于埋設(shè)在待測(cè)物件的表層或表面的形狀，作為測(cè)溫晶體；

第二、對(duì)上步測(cè)溫晶體進(jìn)行中子輻照，輻照溫度不高于100℃，輻照的總通量不低于10¹⁷/cm²；

第三、繪制F-T標(biāo)準(zhǔn)曲線，將第二步經(jīng)過(guò)中子輻照的測(cè)溫晶體分別進(jìn)行不同溫度的退火處理，同時(shí)記錄退火溫度T，然后分別測(cè)試經(jīng)退火處理后的各測(cè)溫晶體的(006)面的X-光衍射峰的半高寬F，以F為縱坐標(biāo)，以T為橫坐標(biāo)，繪制出F隨T變化的曲線，該曲線稱作F-T標(biāo)準(zhǔn)曲線；

第四、將第二步經(jīng)過(guò)中子輻照的同一批次測(cè)溫晶體埋設(shè)于待測(cè)物件的表層或表面，并隨含待測(cè)物件的工作系統(tǒng)進(jìn)行高溫運(yùn)轉(zhuǎn)，此過(guò)程可視為對(duì)測(cè)溫晶體的一次高溫退火；

第五、取出第四步經(jīng)過(guò)隨含有待測(cè)物件的工作系統(tǒng)進(jìn)行高溫運(yùn)轉(zhuǎn)后的測(cè)溫晶體，并測(cè)試該測(cè)溫晶體的(006)面X-光衍射峰的半高寬，通過(guò)對(duì)比第三步繪制的F-T標(biāo)準(zhǔn)曲線，找出與該半高寬值相對(duì)應(yīng)的溫度值，則該溫度即為待測(cè)物件的最高工作溫度。