[發(fā)明專利]大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)方法及納米銀膏厚度控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910069441.6
• 申請(qǐng)日: 2009-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN101593712A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐連勇;陸國權(quán);荊洪陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L21/00
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所
• 代理人: 溫國林

1.一種大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，包括有如下階段：

第一階段：將已通過納米銀膏厚度控制裝置設(shè)定好納米銀膏厚度的具有納米銀膏的 大功率芯片結(jié)構(gòu)放入在燒結(jié)爐內(nèi)并放置設(shè)定的時(shí)間；

第二階段：給燒結(jié)爐快速升溫至50℃，保溫10分鐘；

第三階段：給燒結(jié)爐快速升溫至125℃，保溫20分鐘；

第四階段：給燒結(jié)爐快速升溫至燒結(jié)溫度，保溫30-60分鐘，然后爐冷至室溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，第一階段 所述的納米銀膏厚度設(shè)定為30um～50um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，第一階段 所述的放置設(shè)定的溫度和時(shí)間，是在50-60℃下放置3-5分鐘，或者在室溫下放置24小 時(shí)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，第四階段 所述的燒結(jié)溫度設(shè)定為使燒結(jié)爐內(nèi)的壓力范圍達(dá)到1-5Mpa時(shí)的溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，第四階段 所述的燒結(jié)溫度設(shè)定為260-300℃。

6.一種納米銀膏厚度控制裝置，其用于大功率芯片連接的低溫?zé)Y(jié)中，其特征在于， 包括有：加載支座(1)，設(shè)置在加載支座(1)內(nèi)的用于放置具有納米銀膏的大功率芯 片結(jié)構(gòu)并測(cè)量該大功率芯片中納米銀膏厚度的測(cè)量支撐結(jié)構(gòu)(3)，以及貫穿加載支座(1) 的上端并伸入到加載支座(1)內(nèi)由上至下對(duì)測(cè)量支撐結(jié)構(gòu)(3)施加壓力的加載螺釘(2)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大功率芯片中納米銀膏厚度控制裝置，其特征在于，所述 的測(cè)量支撐結(jié)構(gòu)(3)包括有：支撐塊(4)，設(shè)置在支撐塊(4)上面的第一玻璃板(5)， 分別設(shè)置在支撐塊(4)兩側(cè)的第一引伸計(jì)(7)和第二引伸計(jì)(8)，所述的第一引伸計(jì) (7)和第二引伸計(jì)(8)的頂端支撐有位于第一玻璃板(5)的上方的第二玻璃板(6)， 所述的第一玻璃板(5)和第二玻璃板(6)之間用于放置具有納米銀膏的大功率芯片結(jié) 構(gòu)，所述的加載螺釘(2)頂在第二玻璃板(6)的頂端對(duì)具有納米銀膏的大功率芯片結(jié) 構(gòu)施壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的大功率芯片中納米銀膏厚度控制裝置，其特征在于，所述 的第一玻璃板(5)和第二玻璃板(6)的厚度相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的大功率芯片中納米銀膏厚度控制裝置，其特征在于，所述 的第一引伸計(jì)(7)采用位移計(jì)或激光測(cè)距計(jì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的大功率芯片中納米銀膏厚度控制裝置，其特征在于， 所述的具有納米銀膏的大功率芯片結(jié)構(gòu)包括有：位于底層的基板(9)，位于頂層的芯片 (11)，以及位于基板(9)和芯片(11)之間的納米銀膏(10)。