[發明專利]金屬Sn摻雜MgB2超導體及高溫快速制備方法無效
| 申請號： | 200910069439.9 | 申請日： | 2009-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN101591172A | 公開（公告）日： | 2009-12-02 |
| 發明（設計）人： | 劉永長;姜海;馬宗青;董治中;余黎明 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 | 代理人： | 王 麗 |
| 地址： | 300072天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 sn 摻雜 mgb sub 超導體 高溫 快速 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬Sn摻雜MgB2超導體高溫快速制備方法，其特征是將Mg粉、B粉和Sn粉按原子 比充分混合，在2～10Mpa的壓力下壓制成圓柱體薄片，然后放入高溫差示掃描量熱儀或 管式燒結爐中進行燒結；以5～20℃/min升溫速率的連續加熱到在850～900℃燒結并保 溫0.2～0.4小時，然后以30～40℃/min的冷卻速度降至室溫；超導體結構式為 (Mg1.02B2)1-xSnx，其中x＝0.01～0.05。
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