[發明專利]摻錫鈮酸鋰晶體無效
| 申請號： | 200910068819.0 | 申請日： | 2009-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN101550598A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發明（設計）人： | 劉士國;孔勇發;王利忠;許京軍;陳紹林;黃自恒;張玲 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | C30B29/30 | 分類號： | C30B29/30;C30B15/04 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李益書 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻錫鈮酸鋰 晶體 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于非線性光學領域抗光損傷的摻錫鈮酸鋰晶體，其特征在 于，在鈮酸鋰晶體中摻入有錫離子Sn4+，所述錫離子Sn4+的摻入量為摩爾 百分比0.5～6.0mol％，且鈮酸鋰晶體中含有比例為(0.93～1.41)∶1的鋰離 子Li1+與鈮離子Nb3+。
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