[發(fā)明專利]一種能夠形成自旋極化注入的有機電致發(fā)光器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910067597.0 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN101661995A | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫洪波;馮晶;張丹丹 | 申請(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;G01R31/26;G01M11/02 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 張景林;劉喜生 |
| 地址: | 130023吉林省*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 能夠 形成 自旋 極化 注入 有機 電致發(fā)光 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種引入具有磁性的過渡族金屬氧化物、能夠形成自旋極化注入的有機電致發(fā)光器件。
技術(shù)背景
二十一世紀(jì)是信息技術(shù)高速發(fā)展的時代,伴隨著數(shù)字化多媒體技術(shù)和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的普及,人們對顯示技術(shù)的要求越來越高。要將大量的信息及時、準(zhǔn)確的傳遞給其他人,顯示技術(shù)成為其間不可缺少的一個環(huán)節(jié),因此,作為信息產(chǎn)品終端的顯示器,占有越來越重要的地位。但是現(xiàn)有的顯示器,已經(jīng)跟不上科技的發(fā)展,人們更迫切需要更高性能的平板顯示器件(FPD)。
FPD是顯示技術(shù)今后的主要發(fā)展方向。平板顯示器件目前主要有LCD、VFD、PDP、OLED、FED和ELD等。平板顯示器件普遍比較薄、能耗低、輻射也較低。在上述這些器件中,LCD在便攜式顯示器市場中得到了廣泛的應(yīng)用,但也存在諸如亮度低、響應(yīng)速度慢、溫度特性差、自身不能發(fā)光必須依賴背光源或環(huán)境光等缺點,隨著人們對于顯示終端的要求越來越高,促使科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界研究制造性能更高、成本更低廉的顯示器件。有機電致發(fā)光器件(OLED)具有在全色顯示,液晶的背光源和固態(tài)照明應(yīng)用等方面的潛在優(yōu)勢,是近二十年多來顯示技術(shù)當(dāng)中研究的熱門領(lǐng)域。有機電致發(fā)光技術(shù)具有功耗小,主動發(fā)光,視角廣,響應(yīng)速度快,可實現(xiàn)柔性顯示,成本低等優(yōu)點被認(rèn)為是最有希望取代LCD成為下一代平板顯示主流的技術(shù)之一。
盡管OLED自身具備很多優(yōu)勢,而且有機電致發(fā)光顯示器在材料壽命、驅(qū)動、亮度、彩色化和柔性等方面均有較大的進展。但其產(chǎn)業(yè)化進程低于人們的預(yù)料,其原因主要是在該領(lǐng)域研究中尚有許多關(guān)鍵問題沒有真正得到解決,其效率問題仍是被關(guān)注的熱點。在熒光發(fā)光器件中,通常只有單線態(tài)激子輻射復(fù)合發(fā)光,而單線態(tài)和三線態(tài)激子的形成比例為1∶3,即單線態(tài)激子比例僅為25%,從而限制了器件的外量子效率的提高。盡管從器件的材料、界面勢壘、載流子注入的平衡等各方面出發(fā)可以在一定程度上提高器件的效率,但是也無法打破熒光發(fā)光中這個理論的限制。從激子形成的物理機制出發(fā),通過磁場效應(yīng)改變單線態(tài)激子的形成比例,是更大程度的提高器件的效率的一條有效途徑,即基于載流子的自旋極化注入增加單線態(tài)激子的比例。在有機電致發(fā)光器件中,注入的電子或者空穴的自旋狀態(tài)是隨機的,所以形成兩種激子即單線態(tài)和三線態(tài)的比率為1∶3。當(dāng)在外加磁場下形成空穴(電子)的自旋極化注入時,此時空穴(電子)的自旋狀態(tài)不再是隨機的,而是變成和磁場的方向一致,這樣自旋極化注入的載流子形成單線態(tài)激子的比例就會增多,通過外加磁場下載流子的自旋極化注入來較大程度的提高器件的發(fā)光效率是當(dāng)前用來提高器件的熒光電致發(fā)光效率的一個重要手段。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠形成自旋極化注入的高效率有機電致發(fā)光器件。
本發(fā)明具體內(nèi)容是把一種高自旋極化率的過渡族的金屬氧化物引入到有機
電致發(fā)光器件中,在外加磁場的作用下,使注入的載流子在通過該高自旋極化率
的金屬氧化物時形成載流子的自旋極化注入來提高器件的發(fā)光效率。
本發(fā)明使用真空蒸發(fā)沉積技術(shù)在潔凈的襯底上依次蒸鍍陽極、包括高自旋極化率的過渡族金屬氧化物四氧化三鐵在內(nèi)的各個有機功能層以及陰極,各層薄膜厚度和生長速率均由膜厚控制儀(上海光澤真空儀器生產(chǎn))進行控制。器件的電致發(fā)光譜、亮度以及電流、電壓特性分別采用美國PR655亮度、Keithley-2400電流-電壓測試儀組成的測試系統(tǒng)進行同步測量。所有的測試都是在室溫大氣中進行的。本發(fā)明主要分為以下幾部分內(nèi)容:
1、基于磁性材料作為摻雜劑的有機電致發(fā)光器件
此技術(shù)方案的特征在于使用一種具有高自旋極化率的磁性氧化物Fe3O4作為摻雜劑來形成載流子的自旋極化注入,具體涉及兩種器件結(jié)構(gòu)I和II,都包括透明陽極ITO,有機功能層及陰極。
結(jié)構(gòu)I中的有機功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層,其特征在于:空穴注入層是部分摻雜的,由主體材料和摻雜材料采用共蒸的方法制作,摻雜材料為Fe3O4,摻雜材料與主體材料的體積比為1∶4~2∶1。
常用的空穴注入層材料是星狀爆炸物三苯胺、星型的多胺、聚苯胺、酞箐銅,這里優(yōu)選為星狀爆炸物三苯胺4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





