[發明專利]一種聚合物/無機納米晶雜化太陽能電池及其制法

有效

• 申請號: 200910067426.8
• 申請日: 2009-08-24
• 公開（公告）號: CN101640133A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 謝志元;邵書艷;劉鳳敏;付瑩瑩
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春應用化學研究所
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20
• 代理公司: 長春科宇專利代理有限責任公司
• 代理人: 馬守忠

1.一種聚合物/無機納米晶雜化太陽能電池，其特征在于，其構 成如下：玻璃基板(1)和銦錫氧化物陽極層(2)連接；共軛聚合物 和氧化鋅的共混物構成的光敏層(4)和陰極鋁(5)連接；其特征在 于，還有氧化亞銅空穴收集層(3)，所述的氧化亞銅空穴收集層(3) 分別與銦錫氧化物陽極層(2)和共軛聚合物和氧化鋅的共混物構成 的光敏層(4)連接；所述的銦錫氧化物陽極層(2)的厚度為80-150 納米；氧化亞銅空穴收集層(3)厚度為30-80納米；光敏層(4)的 厚度為100-200納米；陰極鋁(5)的厚度為80-200納米。

2.如權利要求1所述的一種聚合物/無機納米晶雜化太陽能電 池的制備方法，其步驟及條件如下：

在惰性氣氛手套箱中，將聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4- 苯乙烯撐]與ZnO以1∶3.3的質量比溶解于氯苯∶甲醇體積比為95∶ 5的混合溶劑中，得到混合溶液，將混合溶液磁力攪拌12個小時； 所述的聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-苯乙烯撐]的濃度為3.5 毫克/毫升；ZnO的粒徑為5納米，ZnO的濃度為11.55毫克/毫升；

將在玻璃基板(1)上厚度為120納米的銦錫氧化物陽極層(2) 刻蝕成寬度為4毫米的條狀，將刻蝕好細條狀的銦錫氧化物的玻璃基 板清洗干凈，放入烘箱中在120℃下烘干，再將其放置在涂膜機的托 架上，通過0.45微米的過濾頭將氧化亞銅乙二醇分散液均勻涂在銦 錫氧化物的玻璃基板上，氧化亞銅納米晶的粒徑在20-100納米之間， 該分散液的濃度為7毫克/毫升，在450-4000轉/分鐘的轉速下旋轉 一分鐘，在銦錫氧化物表面形成一層厚度為30-80納米的氧化亞銅空 穴收集層(3)，放入真空度為0.1帕斯卡的真空烘箱抽真空1小時除 去乙二醇溶劑，再轉移到手套箱中，放置在涂膜機的托架上，把攪拌 好的聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-苯乙烯撐/Zn0混合溶液通 過0.45微米的過濾頭均勻涂在氧化亞銅空穴收集層(3)的上面，旋 轉涂膜得到光敏層(4)，用轉移瓶自手套箱中取出，再放入真空鍍膜 機中抽真空，當真空度達4×10^-4帕斯卡時，蒸鍍鋁作為陰極(5)， 得到聚合物/無機納米晶雜化雜化太陽能電池。