[發明專利]給體采用弱外延生長薄膜的有機太陽能電池無效
| 申請號： | 200910067006.X | 申請日： | 2009-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN101562230A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發明（設計）人： | 閆東航;于波;黃麗珍;陳為超;喬小蘭 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春應用化學研究所 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;C23C16/44 |
| 代理公司： | 長春科宇專利代理有限責任公司 | 代理人： | 馬守忠 |
| 地址： | 130022吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 外延 生長 薄膜 有機 太陽能電池 | ||
1.一種給體采用弱外延生長薄膜的有機太陽能電池，其特征在于，其構成如下：
第(1)層是透明電極；所述的透明電極是銦錫氧化物導電玻璃；
第(2)層是導電涂層；所述的導電涂層是聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)，或者，透明電極的表面粗糙度均方根平均值(RMS)小于1.5納米，所述的第(2)層省略；
第(3)層是結晶性有機半導體誘導層，厚度不小于2納米，不大于12納米；所述的結晶性有機半導體誘導層是5，5′-二(4-聯苯基)-2，2′-二噻吩；
第(4)層是給體材料層，其厚度不超過50納米；所述的給體材料是不含金屬的酞菁、含有金屬的酞菁、并五苯、紅熒烯、齊聚噻吩、齊聚并噻吩中至少一種；
所述的給體材料層(4)與結晶性有機半導體誘導層(3)的晶體晶格之間存在弱外延關系；
第(5)層是給體材料和受體材料的共混層，厚度不超過60納米；所述的第(4)層和第(5)層厚度不能同時為0；所述的受體材料是碳同素異形體、苝酐、PCBM、PTCDI、PTCBI中至少一種；所述的碳同素異形體中碳原子數大于59，小于100；
第(6)層是受體材料層，厚度不超過60納米，所述第(5)層和第(6)層厚度不能同時為0；所述的受體材料是碳同素異形體、苝酐、PCBM、PTCDI、PTCBI中至少一種；所述的碳同素異形體中碳原子數大于59，小于100；
第(7)層是電極緩沖層，厚度不小于0.5納米，不大于10納米；所述的電極緩沖層是八羥基喹啉鋁、浴靈銅和氟化鋰中一種；
第(8)層是金屬電極；所述的金屬電極是銀或者鋁。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
