[發明專利]帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器

無效

• 申請號: 200910066954.1
• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101710670A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 曲軼;曲博文;李輝;鄧昀;張斯鈺;李月一;劉規東;婁麗;劉國軍;薄報學;高欣
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/22;H01S5/06;H01S5/065;H01S5/028
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1.一種帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器。

2.根據權利要求1所述一種帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器的特征在于，該激光器采用脊型波導(1)其寬度范圍是3μm至5μm。

3.根據權利要求1所述一種帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器的特征在于，該激光器帶有錐形功率放大區(2)，錐形角度(3)在4°至7°范圍內。

4.根據權利要求1所述一種帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器的特征在于，該激光器的脊型波導與錐形功率放大區采用分別驅動結構(4)。

5.根據權利要求1所述一種帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器的特征在于，該激光器帶有限制光反饋結構(5)，其形如“八”字，寬度為10μm，長度范圍是250μm至300μm，深度為稍大于器件P面至有源層底部的距離。其所在位置相對于脊型波導的中線成軸對稱分布，并與其成45°夾角。

6.根據權利要求1所述一種帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為808nm錐形半導體激光器的特征在于，出光面(前端面)鍍增透膜，其反射率為1％，后端面鍍增反膜，其反射率為95％。