[發明專利]大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器

無效

• 申請號: 200910066765.4
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN101510667A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 張巖;寧永強;秦莉;劉云;王立軍;李特
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/02
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所
• 代理人: 南小平

1、大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，包括接觸層、上反射鏡、激活區、下反射鏡、襯底，上反射鏡位于接觸層下面，激活區位于上反射鏡與下反射鏡之間，下反射鏡位于襯底上面，其特征在于，該激光器還包括小孔徑電極(1)、大孔徑出光窗口(2)、絕緣薄膜(3)和襯底電極(4)，小孔徑電極(1)位于激光器外延片的外延面上，絕緣薄膜(3)圍繞小孔徑電極(1)并與之相連，大孔徑出光窗口(2)位于襯底下部中心處，襯底電極(4)圍繞大孔徑出光窗口(2)并與之相連。

2、如權利要求1所述的大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，在所述的大口徑出光窗口(2)上制作集成微透鏡(6)或/和鍍制增透膜(7)。

3、如權利要求1所述的大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，所述的激活區采用超晶格、量子阱或量子點結構。

4、如權利要求1所述的大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，所述激光器的激光波長，包括可見光至中紅外波段。

5、如權利要求1所述的大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，所述激光器的激光材料為銦化鎵或銦化砷或磷化銦或錫化銦或銦鎵砷或銦鋁砷或銦鈣磷或銦鎵氮或銦鑲砷氮或銦鎵砷氮錫或鋁稼砷或鋁稼銦磷或砷化鎵或錫化鋁或氮化鎵。

6、如權利要求1所述的大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，所述的上反射鏡和下反射鏡均是通過MOCVD和MBE之一生長的具有高低折射率的兩種材料的多層膜型反射鏡。

7、如權利要求1所述的大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，所述的接觸層是高摻雜的GaAs。