[發明專利]一種非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝

無效

• 申請號: 200910065091.6
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號: CN101562220A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 孫福河;任永平;王恩忠;王暉;胡軍田;張文晴;秦霄海
• 申請（專利權）人: 河南新能光伏有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;C23C16/44;C23C16/24;C23C14/34;C23C14/22
• 代理公司: 安陽市智浩專利代理事務所
• 代理人: 張智和

1.一種非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝，采用電容平板式等離子體增強化學氣相沉積，以透明導電玻璃為襯底沉積非晶硅薄膜，包括以下步驟：

(a)制備p型硅碳薄膜，工藝參數為：

通入B₂H₆、SiH₄、CH₄、H₂氣體，沉積溫度160℃～240℃，功率密度0.15W/cm²～0.5W/cm²，氫稀釋比R＝H₂/SiH₄為100∶1-1.3，硅烷與甲烷流量比10∶1-1.6，沉積壓力為80-120pa；

(b)制備緩沖層，工藝參數為：

通入SiH₄、H₂氣體，其中H₂/SiH₄＞40，沉積溫度160℃～240℃，功率密度0.15W/cm²～0.5W/cm²，沉積壓力為80-120pa；

(c)制備氫化非晶硅薄膜，工藝參數為：

通入SiH₄、H₂氣體，其中H₂/SiH₄＜20，沉積溫度160℃～240℃，功率密度0.15W/cm²～0.5W/cm²，沉積壓力為100-150pa；

(d)制備n型氫化非晶硅薄膜，工藝參數為：

通入PH₃、SiH₄、H₂氣體，其中H₂/SiH₄＞40，沉積溫度160℃～240℃，功率密度0.15W/cm²～0.5W/cm²，沉積壓力為110-160pa；

(e)制備鋁背反射電極

在硅薄膜上采用物理氣相沉積或濺射方法制備鋁背反射電極。

2.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝，其特征在于：步驟(b)與步驟(a)在同一沉積室實現。

3.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝，其特征在于步驟(b)和步驟(c)在同一腔室實現，步驟(b)到步驟(c)之間輝光連續。

4.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝，其特征在于：步驟(a)、(b)、(c)和(d)的功率密度為0.35W/cm²。

5.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝，其特征在于：步驟(a)、(b)、(c)和(d)的沉積溫度為180℃～230℃。

6.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池的制造工藝，其特征在于：步驟(a)、(b)、(c)和(d)循環進行形成雙結疊層電池結構。