[發明專利]晶體碎料拉制硅芯的方法及簡易裝置無效
| 申請號: | 200910064105.2 | 申請日: | 2009-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN101498033A | 公開(公告)日: | 2009-08-05 |
| 發明(設計)人: | 劉朝軒 | 申請(專利權)人: | 劉朝軒 |
| 主分類號: | C30B15/24 | 分類號: | C30B15/24;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 471009河南省洛陽市西工區上*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 拉制 方法 簡易 裝置 | ||
1、一種晶體碎料拉制硅芯的簡易裝置,包括用于融化晶體碎料(6)的坩堝(5)和加熱套(7);用于對仔晶(2)降溫的導模(3)結構,其特征在于:所述用于融化晶體碎料(6)的坩堝(5)和加熱套(7),包括坩堝(5)、加熱套(7)、坩堝支撐體(8),所述坩堝(5)的外部設有加熱套(7),坩堝(5)與加熱套(7)之間留有3-10公分的距離,在坩堝(5)的下部設有坩堝支撐體(8),所述坩堝(5)的內表面上部設置有導模支撐(4);所述用于對仔晶(2)降溫的導模(3)結構,所述的導模(3)放置在導模支撐(4)上,導模為一平板結構,在導模(3)的中部設有向下延伸至接近坩堝(5)的仔晶提拉管。
2、如權利要求1所述的晶體碎料拉制硅芯的簡易裝置,其特征在于:在導模(3)中部設置的仔晶提拉管為至少一個。
3、如權利要求1所述的晶體碎料拉制硅芯的簡易裝置,其特征在于:所述坩堝(5)內表面上部設置的導模支撐(4)或設置為坩堝(5)的內表面環形臺階,所述的環形臺階為導模支撐(4)。
4、如權利要求1或3所述的晶體碎料拉制硅芯的簡易裝置,其特征在于:坩堝(5)與導模支撐(4)可設置為一體。
5、如權利要求1或2所述的晶體碎料拉制硅芯的簡易裝置,其特征在于:導模(3)與仔晶提拉管可設置為一體。
6、根據權利要求1~5任一所述的晶體碎料拉制硅芯的方法,其特征在于:
所述的晶體碎料拉制硅芯的方法包括如下步驟:
A、將晶體碎料(6)的雜質清除干凈;
B、把干凈晶體碎料(6)放入坩堝(5)內,晶體碎料(6)的高度不得超出導模支撐(4)的上表面,并將晶體碎料(6)平整壓實,然后將導模(3)的仔晶提拉管下壓,導模(3)的仔晶提拉管下壓至導模(3)與導模支撐(4)連接為宜;所述坩堝支撐體8保持坩堝(5)的獨立,坩堝(5)與加熱套7之間保持3-10公分的距離,以便防止加熱套7出現接近坩堝(5)后局部晶體碎料(6)過熱;
C、接通加熱套(7)電源,利用加熱套(7)對坩堝(5)進行加熱,至坩堝(5)內的晶體碎料(6)融化,所述的晶體碎料(6)融化,應根據晶體碎料(6)的不同來設置溫度;以多晶硅為例,多晶硅的晶體碎料(6)融化溫度在1800°左右,所以以坩堝(5)的1800°融化點為宜并保持,坩堝(5)內的晶體碎料(6)融化為液體;
D、仔晶夾頭(1)帶著仔晶(2)下降,仔晶(2)穿過導模(3)中部的仔晶提拉管接近并插入熔化的晶體碎料(6)液體中,然后提升仔晶(2),坩堝(5)內熔化的晶體碎料6液體會跟隨仔晶(2)上升,仔晶(2)脫離仔晶提拉管后結晶;
E、通過上述步驟晶體碎料6液體便形成了一個新的柱型晶體,其仔晶夾頭(1)夾帶仔晶(2)緩慢上升,便可形成所需長度的成品硅芯;
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