[發(fā)明專利]一種157nm深紫外激光微加工制備場(chǎng)致發(fā)射陰極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910063190.0
• 申請(qǐng)日: 2009-07-17
• 公開（公告）號(hào): CN101604604A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童杏林;姜德生;林凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01J9/02
• 分類號(hào): H01J9/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 王玉華

1.一種157nm深紫外激光微加工制備場(chǎng)致發(fā)射陰極的方法；其特征在于以157nm深紫外激光做光源，通過(guò)光學(xué)準(zhǔn)直系統(tǒng)變?yōu)槠叫泄夂笾苯虞椪湛逃屑庸に栊螤畹亩嗫籽?模板，通過(guò)多孔掩模板的選通性對(duì)單晶硅工件進(jìn)行刻蝕，通過(guò)多孔掩模板的多層次刻蝕，在單晶硅上制備倒錐陣列；在制備好的單晶硅倒錐模型中注入有機(jī)聚合物，并在10^-2真空度下凝固成型，制備出柔性的尖錐陣列，然后在制備出的尖錐陣列上低溫沉積場(chǎng)致發(fā)射材料氮化鎵或氧化鋅薄膜，制備出微錐型可折疊的場(chǎng)致發(fā)射陰極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種157nm深紫外激光微加工制備場(chǎng)致發(fā)射陰極的方法；其特征在于多孔掩?模板刻有多重尺寸的圖形，掩?模板尺寸大小為10cm×10cm。?