[發明專利]一種157nm深紫外激光微加工制備場致發射陰極的方法有效

申請號：	200910063190.0	申請日：	2009-07-17
公開（公告）號：	CN101604604A	公開（公告）日：	2009-12-16
發明（設計）人：	童杏林;姜德生;林凱	申請（專利權）人：	武漢理工大學
主分類號：	H01J9/02	分類號：	H01J9/02
代理公司：	湖北武漢永嘉專利代理有限公司	代理人：	王玉華
地址：	430070湖北***	國省代碼：	湖北;42
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 157 nm 深紫激光加工制備發射陰極方法
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【權利要求書】：

1.一種157nm深紫外激光微加工制備場致發射陰極的方法；其特征在于以157nm深紫外激光做光源，通過光學準直系統變為平行光后直接輻照刻有加工所需形狀的多孔掩?模板，通過多孔掩模板的選通性對單晶硅工件進行刻蝕，通過多孔掩模板的多層次刻蝕，在單晶硅上制備倒錐陣列；在制備好的單晶硅倒錐模型中注入有機聚合物，并在10^-2真空度下凝固成型，制備出柔性的尖錐陣列，然后在制備出的尖錐陣列上低溫沉積場致發射材料氮化鎵或氧化鋅薄膜，制備出微錐型可折疊的場致發射陰極。

2.根據權利要求1所述的一種157nm深紫外激光微加工制備場致發射陰極的方法；其特征在于多孔掩?模板刻有多重尺寸的圖形，掩?模板尺寸大小為10cm×10cm。?

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