[發明專利]一種復合二氧化鈦薄膜及其制備方法和用途有效
| 申請號: | 200910062376.4 | 申請日: | 2009-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN101565847A | 公開(公告)日: | 2009-10-28 |
| 發明(設計)人: | 潘春旭;王永錢;江旭東 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | C25D11/26 | 分類號: | C25D11/26 |
| 代理公司: | 武漢帥丞知識產權代理有限公司 | 代理人: | 朱必武 |
| 地址: | 43007*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 氧化 薄膜 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種復合二氧化鈦薄膜,從外到內分為多孔層、中間層和致密層,其特征在于:該薄膜采用微弧氧化技術在鈦合金基體上生成;并且使摻雜了稀土離子的釔鋁石榴石體系顆粒嵌入在所述復合二氧化鈦薄膜內,顆粒大小為1~2μm;
所述多孔層的晶相為銳鈦礦相二氧化鈦;
所述摻雜了稀土離子的釔鋁石榴石體系中所摻雜的稀土離子為Ce3+和Gd3+,其化學式為Y2.6Al5O12∶0.2Ce3+,0.2Gd3+。
2.制備如權利要求1所述的復合二氧化鈦薄膜的方法,其特征在于包括如下步驟:(1)首先,選擇拋光處理后的鈦合金作為陽極材料,不銹鋼板作為陰極材料;(2)將超聲分散處理后的摻雜稀土離子的釔鋁石榴石體系顆粒均勻分散在電解液中;(3)在200~400V脈沖電壓下作用5min~60min,在鈦合金基體表面生成含有摻雜稀土離子的釔鋁石榴石體系顆粒的多孔、致密氧化物陶瓷膜;所述電解液溫度控制在40℃以內。
3.根據權利要求2所述的復合二氧化鈦薄膜的制備方法,其特征在于:所述摻雜稀土離子的釔鋁石榴石體系顆粒在電解液中的分散濃度為1~10g/L。
4.根據權利要求2所述的復合二氧化鈦薄膜的制備方法,其特征在于:所述電解液為無水碳酸鈉和九水硅酸鈉的混合溶液,其中無水碳酸鈉與水質量/體積比濃度為15~30g/L,九水硅酸鈉與水質量/體積比濃度為5~15g/L。
5.一種如權利要求1所述的復合二氧化鈦薄膜的用途,其特征在于用于光催化凈化領域。
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