[發明專利]一種微機電系統的圓片級真空封裝方法有效
| 申請號： | 200910061898.2 | 申請日： | 2009-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101554988A | 公開（公告）日： | 2009-10-14 |
| 發明（設計）人： | 汪學方;黎藜;張卓;劉川;甘志銀;張鴻海;劉勝 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | B81C3/00 | 分類號： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 | 代理人： | 方 放 |
| 地址： | 430074湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微機 系統 圓片級 真空 封裝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微機電系統的圓片級真空封裝方法，包括：
刻蝕步驟：在蓋板圓片上對應硅基片MEMS器件的位置刻蝕相應空間尺寸的凹坑，再環繞凹坑刻蝕環形凹槽；
吸氣劑淀積步驟：在所述凹坑和凹槽內淀積吸氣劑薄膜；
鍵合步驟：在真空環境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。
2.如權利要求1所述的圓片級真空封裝方法，其特征在于：
所述刻蝕步驟中，采用化學同相刻蝕、異向刻蝕或者光刻刻蝕工藝刻蝕蓋板圓片上的凹坑和凹槽；所述蓋板圓片為硅片、玻璃或者陶瓷材料，當蓋板圓片為硅片時，實施刻蝕步驟之后，在硅片上淀積電絕緣層，以防止電流擴散到蓋板圓片中；
所述吸氣劑淀積步驟中，淀積方法為下述方法中的一種：磁控濺射或絲網印刷；
所述鍵合步驟中，鍵合方法為陽極鍵合、熔融鍵合、共晶鍵合、焊料鍵合中的一種。
3.如權利要求1或2所述的圓片級真空封裝方法，其特征在于：
所述吸氣劑淀積步驟之后，增加鍵合材料淀積步驟：在所述凹坑與凹槽之間，以及凹槽的外邊緣處淀積一層鍵合材料，鍵合材料為Au、In-Sn合金或玻璃焊料中的一種；淀積方法為下述方法中的一種：化學氣相沉積、濺射、絲網印刷；
然后實施鍵合步驟，采取共晶鍵合或者焊料鍵合方法，在真空環境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。
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