[發明專利]氧化鋅納米紫外光敏傳感器及其制備方法

無效

• 申請號: 200910061566.4
• 申請日: 2009-04-10
• 公開（公告）號: CN101533867A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 方國家;劉逆霜;龍浩
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/0296;C01G9/02;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 武漢帥丞知識產權代理有限公司
• 代理人: 朱必武

1.一種氧化鋅納米紫外光敏傳感器的制備方法，所述傳感器至少包括襯底、水 平排列的氧化鋅納米桿、種子層和具有鈍化功能的插指電極導電薄膜，其特 征在于采用如下具體步驟：

步驟一，利用傳統光刻工藝在襯底上做出插指電極的光刻膠掩膜，或者利用 金屬掩膜；

步驟二，在步驟一得到的襯底上沉積一層對氧化鋅具有親和性的薄膜作為種 子層，得到插指電極形狀的薄膜；

步驟三，在步驟二的產物上沉積一層對ZnO分子不具有親和性的具有鈍化功 能的插指電極導電薄膜；

步驟四，將步驟三得到的產物，置于高壓反應釜內，使用濃度為0.001- 0.02mol/L的醋酸鋅和六亞甲基四氨水溶液作為反應溶液，將襯底正面朝下置于 液面處，密封后置于烘箱中65℃-140℃下保溫反應1-3h，反應后將襯底用去 離子水漂洗，置于烘箱中烘干，得到水平生長的ZnO陣列。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征是：所述種子層為氧化鋅、摻鋁的氧 化鋅或金，其厚度為30-300nm。

3.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征是：所述襯底為不導電的普通玻 璃、二氧化硅或聚對苯二甲酸乙二醇酯柔性襯底。

4.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征是：所述具有鈍化功能的插指電 極導電薄膜為錫、鉻或摻二氧化錫的三氧化二銦，其厚度至少為50nm。