[發(fā)明專利]對(duì)具有導(dǎo)磁材料保護(hù)層的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910061369.2 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101520435A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 武新軍;徐志遠(yuǎn);黃琛;丁旭;康宜華;徐江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/90 | 分類號(hào): | G01N27/90 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 | 代理人: | 李 智 |
| 地址: | 430074湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 材料 保護(hù)層 構(gòu)件 腐蝕 檢測(cè) 方法 裝置 | ||
1.對(duì)具有導(dǎo)磁材料保護(hù)層的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)方法,包括以下步驟:
(1)??將導(dǎo)磁保護(hù)層磁化到飽和;
(2)??在被測(cè)構(gòu)件表面任意選取一區(qū)域作為參考區(qū)域,在其保護(hù)層上設(shè)置脈沖渦流傳感器;
(3)??在脈沖渦流傳感器激勵(lì)線圈中施加方波激勵(lì);
(4)??測(cè)取方波下降至低電平后傳感器檢測(cè)線圈內(nèi)感應(yīng)電壓的衰減曲線;
(5)??在被測(cè)構(gòu)件待測(cè)區(qū)域的保護(hù)層上設(shè)置脈沖渦流傳感器,按照步驟(3)~(4)的方式獲得該區(qū)域的感應(yīng)電壓衰減曲線;
(6)??比較參考區(qū)域與待測(cè)區(qū)域的感應(yīng)電壓衰減曲線差異,即可判別待測(cè)區(qū)域相對(duì)參考區(qū)域的腐蝕情況。
2.實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述方法的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)裝置,包括依次連接的脈沖渦流傳感器(8)、方波信號(hào)激勵(lì)電路(9)、信號(hào)處理電路(10)、A/D轉(zhuǎn)換電路(11)和計(jì)算機(jī)(12),脈沖渦流傳感器(8)包括激勵(lì)線圈(6)、檢測(cè)線圈(5),其特征在于,脈沖渦流傳感器(8)還包括至少一個(gè)磁化單元,激勵(lì)線圈(6)和檢測(cè)線圈(5)對(duì)構(gòu)件保護(hù)層的覆蓋區(qū)域位于磁化單元對(duì)構(gòu)件保護(hù)層的均勻磁化區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)裝置,其特征在于,所述磁化單元包括永久磁鐵(4)和磁軛(7),磁軛(7)的兩端下方分別吸附有一永久磁鐵(4),磁軛(7)的兩端磁鐵極性相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)裝置,其特征在于,所述磁化單元為直流磁化線圈(19)。
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