[發(fā)明專利]一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910060859.0
• 申請(qǐng)日: 2009-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101488534A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁孔賢;李化錚;丁孔奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珈偉太陽(yáng)能（武漢）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/06
• 分類號(hào): H01L31/06
• 代理公司: 武漢開(kāi)元專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 黃行軍

1、一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，包括已形成單個(gè)或多個(gè)PN結(jié)的硅太陽(yáng)電池基片，其特征是在硅太陽(yáng)電池基片受光面上的柵線與硅太陽(yáng)電池基片之間的焊點(diǎn)處設(shè)置透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜沉積在硅太陽(yáng)電池基片受光面表面。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述透明導(dǎo)電膜的厚度為5—100nm。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述透明導(dǎo)電膜采用透明導(dǎo)電氧化金屬材料。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述透明導(dǎo)電膜采用ITO，ZnO:Al等。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是在硅太陽(yáng)電池基片受光面上所有透明導(dǎo)電膜占電池受光面積的10％～100％。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述透明導(dǎo)電膜表面為絨面；所述硅太陽(yáng)電池基片受光而為絨面。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述硅太陽(yáng)電池基片為非晶硅、單晶硅或多晶硅。

8、根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述柵線平行布置在硅太陽(yáng)電池受光面上，每條柵線與硅太陽(yáng)電池基片受光面之間設(shè)置至少兩個(gè)焊點(diǎn)，所述柵線為導(dǎo)電柵線。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述柵線采用直徑為0.1—0.17mm的金屬絲線。

10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種提高硅太陽(yáng)電池效率的發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征是所述相鄰兩條柵線之間的間距為2—6mm，所述每條柵線中相鄰兩焊點(diǎn)之間的間距為2—6mm。