[發明專利]一種自支撐的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200910060440.5
• 申請日: 2009-01-06
• 公開（公告）號: CN101445618A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 李亮;程志毓;鄢國平;喻湘華;鄭磊;胡雙強;吳江渝;郭慶中;杜飛鵬
• 申請（專利權）人: 武漢工程大學
• 主分類號: C08J9/26
• 分類號: C08J9/26;C08L65/00;C08G61/12
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 崔友明

1.一種自支撐的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制備方法，其特征在于包括有如下步驟：

1)將3，4-乙烯二氧噻吩單體、有機染料和支持電解質按摩爾比為1-6∶0.05-0.1∶2-10分散在水溶液中，得到A溶液，所述的有機染料為亞甲基藍或靛蘭胭脂紅；

2)在0℃氮氣保護下，將上述步驟1)得到的A溶液在配備三電極的電解池中采取電化學合成方法制得聚(3，4-乙烯二氧噻吩)薄膜；

3)將步驟2)得到的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)薄膜從電極上剝離，置于丙酮溶液中萃取36-48h，真空干燥即可得到自支撐的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜。

2.按權利要求1所述的自支撐的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制備方法，其特征在于所述的電化學合成方法為恒電流法，電解電流為2-6mA/cm²，聚合時間為0.5-2h、或恒電位法，工作電極電位為1.0-1.2V，聚合時間為0.5-2h、或循環伏安法，控制電位在-0.9-1.0V之間，掃描速率為10-200mV/s，循環掃描次數為100-300次。

3.按權利要求1或2所述的自支撐的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制備方法，其特征在于所述的支持電解質為高氯酸鋰、硫酸鈉或對甲苯磺酸鈉。

4.按權利要求1或2所述的自支撐的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制備方法，其特征在于所述的三電極中參比電極為飽和甘汞電極，鉑片為對電極，工作電極為不銹鋼片、鉑片或金片。