[發明專利]用于寬帶離子束的質量分析磁鐵及注入機系統

無效

• 申請號: 200910060092.1
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN101692369A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 胡新平;胡愛平;黃永章
• 申請（專利權）人: 胡新平;胡愛平;黃永章
• 主分類號: H01F7/00
• 分類號: H01F7/00;H01J37/317
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所 44248
• 代理人: 胡吉科

1.一種用于寬帶離子束的質量分析磁鐵，其特征在于，包括磁體以及連有電源 的線圈；所述磁體包括磁極、磁軛以及磁屏蔽板；所述磁軛和所述磁屏蔽板 連接所述磁極；所述磁極包括上磁極和下磁極；所述磁屏蔽板包括上磁屏蔽 板以及下磁屏蔽板；所述上磁極與下磁極間設有供寬帶離子束以一定路線通 過的磁場空間；所述線圈包括上線圈和下線圈；所述上線圈和下線圈生成讓 寬帶離子束偏轉的磁場；所述上線圈和下線圈分別纏繞在所述上磁極和下磁 極上；所述磁體設有質量選擇狹縫；所述質量選擇狹縫位于所述磁體的中部 并讓其所期望的離子通過。

2.根據權利要求1所述用于寬帶離子束的分析磁鐵，其特征在于：所述上磁 極和所述下磁極分別包括前半部和后半部；所述前半部和后半部連接在一起； 所述前半部和后半部以它們的連接面對稱或不對稱；所述前半部讓離子束從 其一邊進入磁體并從所述后半部的一邊出去。

3.根據權利要求1所述用于寬帶離子束的分析磁鐵，其特征在于：所述上磁 屏蔽板與所述上磁極相連接；所述下磁屏蔽板與所述下磁極相連接；所述上 線圈環繞所述上磁極部分；所述下線圈環繞所述下磁極部分；所述上磁極以 及下磁極的表面設計為產生均勻磁場分布或非均勻磁場分布的表面；所述均 勻磁場分布將引導離子以相等偏轉半徑的曲線軌道運動；所述非均勻磁場分 布將引導離子以不相等偏轉半徑的曲線軌道運動。

4.根據權利要求1-3任一所述用于寬帶離子束的分析磁鐵，其特征在于：所 述磁體的內部設有焦斑區，所述焦斑區為通過的寬帶離子束在所述磁體的中 部被聚焦而形成，所述質量選擇狹縫設置在焦斑區。

5.根據權利要求4所述用于寬帶離子束的分析磁鐵，其特征在于：所述上磁 極與所述上磁屏蔽板相應的邊為寬帶離子束的進入邊或出去邊，其為平面或 曲面形狀；所述下磁極與所述下磁屏蔽板相應的邊為寬帶離子束的進入邊或 出去邊，其為平面或曲面形狀；所述曲面為凸表面或凹表面形狀；所述一定 路線為類似圓形或類似橢圓形路線。

6.根據權利要求5所述用于寬帶離子束的分析磁鐵，其特征在于：所述上磁極 和下磁極的端部分別設有活動旋轉磁極頭，所述活動旋轉磁極頭旋轉一定的 角度。