[發明專利]非易失性存儲器控制裝置、其數據調度方法及系統

有效

• 申請號: 200910059473.8
• 申請日: 2009-05-31
• 公開（公告）號: CN101572123A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 周建華;唐嫻;楊繼濤
• 申請（專利權）人: 成都市華為賽門鐵克科技有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G06F12/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及數據存儲領域，特別涉及非易失性存儲器控制裝置、其數據調度方法及系統。?

背景技術

NVRAM(Non-Volatile?Random?Access?Memory)是一種非易失性隨機訪問存儲器，其特點是存儲器斷電后數據不消失，仍能保存數據。目前NVRAM存儲器中的一種MLC(Multi?Level?Cell，多層式存儲器)通過使用大量的電壓等級，在每個存儲單元存放2Bit或更多Bit的資料。由于其存儲的數據密度較大，成本低，得到了大規模的應用。?

對MLC類型的NVRAM存儲器的操作最主要是讀、寫和刪除。每一片NVRAM存儲器內部分為幾個塊layer(存儲器單元塊)，每個layer之間的操作相互獨立?？梢詫ΨQ為layer的存儲器單元塊進行擦寫和再編程如附圖1所示，該類存儲器中一片flash(閃存快)可以由4片layer構成。4片layer共用I/O接口。每一layer接一R/B#(Ready/Busy)信號，表示對應layer的空閑/忙碌。當R/B#為高時，表示空閑；為低時，表示flash處于內部忙碌狀態，此時不能對此layer發送命令。但如果其他layer空閑則可通過I/O對其他layer發送命令。R/B#信號連接到非易失性存儲器的控制器上。控制器監測存儲器的狀態，只能向空閑的layer發送命令。?

具體操作為：將控制器發出的命令、地址、數據導入到存儲器內部寄存器，在復用I/O上通過控制信號區分命令、地址和數據，分別導入到命令寄存器、地址寄存器和數據寄存器中，在這段時間控制器和存儲器需要同時工作；當命令、?地址和數據信息導入到內部寄存器中后，剩下的操作由存儲器完成，這段時間為某個layer的潛伏期t_PROG，R/B#＝0，此時不需要flash控制器的干預，只可以接受來至控制器的復位信號和狀態查詢信號。如圖2所示，以寫命令為例(其他命令操作類似)，I/O前一部分為命令(80h)、地址(Address)、數據(Dw)導入階段，當命令10h發送以后R/B#拉低，進入存儲器的階段t_PROG(潛伏期)；在t_PROG期間不需要控制器的干預；當R/B#恢復高電平時，表示flash內部配置操作完成，可以接收flash控制器的下一條命令，flash控制器再發送狀態查詢命令查詢當前寫操作是否成功。因此，一個完整的寫操作包括命令、地址、數據導入階段具有潛伏期t_PROG的存儲器階段狀態查詢階段MLC類型的NVRAM存儲器配置的時間相對于數據導入和狀態查詢來說很長，一般為800us。?

請參閱圖3，現有技術通過控制器(以Flash控制器為例進行說明)進行數據調度一般包括以下步驟：?

控制器發送一個請求命令req，等待調度模塊的接收端響應；?

接收端接收到請求命令req，并在準備好接收后，會發起響應信號ack給控制器；?

在req信號和ack信號同時有效時，調度模塊和Flash控制器之間的數據傳遞有效；?

當調度模塊發送完成數據時會結束req信號；?

在req信號拉低后，調度模塊的響應信號ack也跟著拉低，完成調度模塊和控制器之間的握手。?

發明人在實現本發明的過程中，發現現有技術至少存在以下缺點：現有技術中，req為flash控制器發出的命令請求信號；ack為調度模塊的響應信號。當flash控制器將命令解析發送給存儲器(以NAND?flash為例)，且存儲器響應完?成以后，flash控制器拉低req，調度模塊接收到req低后拉低ack信號；data為調度模塊發出的命令、地址等信息，在req和ack同時為高時表示data有效。采用這樣傳統的握手方式能夠完成和調度模塊的交互，但req和ack必須包含一條寫命令的三段時間。這種傳統握手機制不能利用每個layer的潛伏期，即R/B#為0這段時期。要想對下一個layer發送命令，就必須等到前一個layer操作完成，即經過命令、地址、數據導入階段，具有潛伏期的階段，狀態查詢階段。?

發明內容

本發明實施例提供非易失性存儲器控制裝置、其數據調度方法及系統，以減少多層式存儲器中每個存儲器單元塊的潛伏期對數據調度的影響，提高數據處理速率。?

本發明實施例提供一種非易失性存儲器控制裝置，用于控制多層式存儲器存儲數據，包括控制器和調度模塊；?