[發(fā)明專利]一種有機(jī)薄膜場效應(yīng)管及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910059365.0
• 申請日: 2009-05-21
• 公開（公告）號: CN101556987A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于軍勝;李璐;蔣亞東;余雙江
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;C07C25/18
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• 代理人: 暫無信息

1.一種有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，包括基板、柵電極、絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、漏電極和源電極，結(jié)構(gòu)組成包括源漏電極頂部接觸式、源漏電極底部接觸式或頂部柵極式，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層中設(shè)置有厚度小于5nm的單層或者多層非摻雜感應(yīng)增效層，對于n-型有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，非摻雜感應(yīng)增效層使用的材料包括Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ag、Al、Ga、In、Zn或上述金屬所對應(yīng)的金屬鹽或氟代寡聚物分子、2，5-二芳基硅或三(9，9-二芳基)芴；對于p-型有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，非摻雜感應(yīng)增效層使用的材料包括芳香族三胺類化合物、聯(lián)苯二胺類化合物或“星型”三苯胺類化合物，其中氟代寡聚物分子結(jié)構(gòu)如下：

結(jié)構(gòu)1：氟代寡聚物分子

結(jié)構(gòu)2：氟代寡聚物分子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，其特征在于，非摻雜感應(yīng)增效層在有機(jī)半導(dǎo)體層中的層數(shù)是N，其中N的取值為1～10，N層非摻雜感應(yīng)增效層使用的材料相同或者不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，其特征在于，多層非摻雜感應(yīng)增效層中每層使用的材料不同，并且在有機(jī)半導(dǎo)體層中分布時(shí)各非摻雜感應(yīng)增效層材料的載流子遷移率依次升高或降低。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，其特征在于，多層非摻雜感應(yīng)增效層使用的材料相同，并且在有機(jī)半導(dǎo)體層中分布時(shí)各非摻雜感應(yīng)增效層的厚度隨著載流子遷移率的變化依次增大或減小。

5.一種頂部接觸式有機(jī)薄膜場效應(yīng)管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①.將Si基板放入熱的H₂SO₄∶H₂O₂＝7∶3的溶液中超聲1小時(shí)后，使用超純水清洗；

②.將H₂O∶NH₃＝5∶1的溶液加熱70℃后，加入1體積H₂O₂，加入基片浸泡15min后，使用超純水清洗，最后用干燥氮?dú)獯蹈桑?/p>

③.在Si基板表面通過真空蒸鍍或者濺射的方法蒸鍍柵電極，并通過光刻的方法刻蝕柵電極圖形；

④.采用旋涂或者真空蒸鍍或者濺射的方法在柵電極上形成絕緣層；

⑤.之后在高真空蒸發(fā)室中，開始進(jìn)行功能層薄膜的蒸鍍，按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍功能層，所述功能層包括有機(jī)半導(dǎo)體層和單層或多層的非摻雜感應(yīng)增效層，對于n-型有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，非摻雜感應(yīng)增效層使用的材料包括Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ag、Al、Ga、In、Zn或上述金屬所對應(yīng)的金屬鹽或氟代寡聚物分子、2，5-二芳基硅或三(9，9-二芳基)芴；對于p-型有機(jī)薄膜場效應(yīng)管，非摻雜感應(yīng)增效層使用的材料包括芳香族三胺類化合物、聯(lián)苯二胺類化合物或“星型”三苯胺類化合物，其中氟代寡聚物分子結(jié)構(gòu)如下：

結(jié)構(gòu)1：氟代寡聚物分子

結(jié)構(gòu)2：氟代寡聚物分子；

⑥.然后在有機(jī)半導(dǎo)體層上蒸鍍源、漏電極，通過光刻形成源、漏電極。