[發明專利]一種柔性納米結構有序薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200910059063.3
• 申請日: 2009-04-24
• 公開（公告）號: CN101544774A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 楊亞杰;蔣亞東;徐建華
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L65/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種柔性納米結構有序薄膜的制備方法，利用導電聚合物納米粒子或納 米線在氣/液界面的自組裝行為，讓導電聚合物納米粒子或納米線有序組裝，得 到導電聚合物納米粒子或納米線有序排列薄膜，其特征在于，包括以下步驟：

①將導電聚合物納米結構與表面活性劑超聲分散溶于有機溶劑中，形成導 電聚合物納米結構-表面活性劑單分子溶液，其中導電聚合物納米粒子或納米線 能與表面活性劑材料組成穩定的分散溶液；

②采用微量進樣器抽取步驟①得到的溶液滴加于亞相，使其在氣/液界面自 組裝形成導電聚合物納米結構-表面活性劑復合膜；

③控制LB拉膜機滑障的速度來壓縮步驟②得到的導電聚合物納米結構-表 面活性劑復合膜，通過控制成膜膜壓來調控導電聚合物納米粒子或納米線的間 距；

④將清潔處理后的基片采用垂直成膜的方式將經過步驟③得到的復合膜轉 移至基片上；

所述導電聚合物納米粒子或納米線包括聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米粒子，聚 -3，4-乙撐二氧噻吩納米線，聚吡咯納米粒子或聚吡咯納米線；表面活性劑為十 六烷酸、十八烷酸或二十二烷酸；有機溶劑為氯仿。

2.根據權利要求1所述的柔性納米結構有序薄膜的制備方法，其特征在于， 所述基片是處理過的石英、ITO玻璃或叉指電極。

3.根據權利要求1所述的柔性納米結構有序薄膜的制備方法，其特征在于， 包括以下步驟：

①將導電聚合物聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米粒子與硬脂酸超聲分散溶于氯 仿中，硬脂酸的濃度為0.2mg/ml，導電聚合物納米粒子的濃度為1mg/ml，形 成納米粒子-表面活性劑單分子溶液；

②采用微量進樣器抽取100μl聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米粒子與硬脂酸/ 氯仿溶液滴加于純水亞相，待氯仿揮發20min后開始壓膜，此時在氣/液界面 已形成聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米粒子-硬脂酸復合膜；

③控制LB拉膜機滑障以2mm/min的速度壓縮復合單分子膜到30mN/m的 膜壓，將清潔處理后的基片采用垂直成膜的方式將納米粒子有序排列膜轉移至 基片上，成膜速率為0.5mm/min，從而得到一種3，4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子有序排列薄膜結構。

4.根據權利要求1所述的柔性納米結構有序薄膜的制備方法，其特征在于， 包括以下步驟：

①將導電聚合物聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米線與硬脂酸超聲分散溶于氯仿 中，硬脂酸的濃度為0.2mg/ml，導電聚合物納米線的濃度為1.2mg/ml，形成 納米線-表面活性劑單分子溶液；

②采用微量進樣器抽取100μl聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米線與硬脂酸/氯 仿溶液滴加于純水亞相，待氯仿揮發20min后開始壓膜，此時在氣/液界面已 形成聚-3，4-乙撐二氧噻吩納米線-硬脂酸復合膜；

③控制LB拉膜機滑障以2mm/min的速度壓縮復合單分子膜到到30mN/m 膜壓，將清潔處理后的基片采用垂直成膜的方式將納米線有序排列膜轉移至基 片上，成膜速率為0.5mm/min，從而得到一種3，4-聚乙撐二氧噻吩納米線有 序排列薄膜結構。