[發(fā)明專利]FPGA轉(zhuǎn)成結(jié)構(gòu)化ASIC的方法及結(jié)構(gòu)化ASIC無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910058329.2 | 申請日: | 2009-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN101686052A | 公開(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李文昌;謝小東;熊宣淋;王蠶英;胡勇強;李熏隆 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué);成都華微電子系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/177 | 分類號: | H03K19/177 |
| 代理公司: | 成都惠迪專利事務(wù)所 | 代理人: | 劉 勛 |
| 地址: | 610000四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | fpga 轉(zhuǎn)成 結(jié)構(gòu) asic 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)。
背景技術(shù)
FPGA(field?programmable?gate?arrays)相對于ASIC而言,具有兩個最主要的優(yōu)點:沒有NRE費用,更短的time?to?market。因此FPGA在市場上獲得了很大的商業(yè)成功。但FPGA也有其致命的短處:基于SRAM存儲技術(shù)的FPGA抗干擾能力較差,特別是在空間應(yīng)用時,SRAM存儲陣列對SEU特別敏感,這限制了普通FPGA在空間的應(yīng)用。同時單片F(xiàn)PGA成本較高,在用量較大的場合,F(xiàn)PGA成本相對于ASIC沒有優(yōu)勢。
結(jié)構(gòu)化ASIC介于FPGA與ASIC之間,底層單元預(yù)先制成,用戶只需要定制幾張互聯(lián)金屬層掩模版就可以得到ASIC,因此具有較短的time?to?market,同時抗干擾的能力也較強。
傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)化ASIC與FPGA底層架構(gòu)完全不同,用戶必須將在FPGA上做的設(shè)計重新在結(jié)構(gòu)化ASIC上走一遍從綜合到布局布線的開發(fā)流程,而后必須通過仿真來檢驗設(shè)計的正確性,對于一個較大的設(shè)計,這一轉(zhuǎn)換開發(fā)過程有時會持續(xù)很長的時間,同時結(jié)構(gòu)化ASIC提供商還必須投入大量的人力物力開發(fā)一整套CAD工具,從開發(fā)效率和成本上都非常不理想。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種FPGA轉(zhuǎn)成結(jié)構(gòu)化ASIC的方法,能夠在高效、低成本完成結(jié)構(gòu)化ASIC的設(shè)計和制作。
本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是,F(xiàn)PGA轉(zhuǎn)成結(jié)構(gòu)化ASIC的方法,其特征在于,將SRAM型FPGA中的IO單元去除配置SRAM,作為結(jié)構(gòu)化ASIC的IO單元;將SRAM型FPGA中的CLB去除配置SRAM,作為結(jié)構(gòu)化ASIC的邏輯單元;邏輯單元之間,以及邏輯單元與IO單元之間的互聯(lián)線為定制的金屬連線;通過前述步驟形成結(jié)構(gòu)化ASIC。
所述結(jié)構(gòu)化ASIC中分布有供連接的高電平節(jié)點和低電平節(jié)點,以方便邏輯單元和IO單元的配置。
本發(fā)明還提供一種結(jié)構(gòu)化ASIC,包括邏輯單元、IO單元和互聯(lián)線,其特征在于,所述邏輯單元為不含配置SRAM的SRAM型FPGA的CLB,所述IO單元為不含配置SRAM的SRAM型FPGA的IO單元,所述互聯(lián)線為定制的金屬連線。前述“不含配置SRAM的SRAM型FPGA的CLB”是指在現(xiàn)有的SRAM型FPGA的CLB的基礎(chǔ)上去除配置SRAM后余下的部分。IO單元亦同。
本發(fā)明的有益效果是,能夠在FPGA的開發(fā)平臺上完成結(jié)構(gòu)化ASIC的開發(fā)工作,從而大大的提高了開發(fā)效率,降低了結(jié)構(gòu)化ASIC的開發(fā)成本。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步的說明。
附圖說明
圖1是本發(fā)明涉及的FPGA的示意圖。其中5為互聯(lián)線,6為IO單元,7為CLB。
圖2a是FPGA的CLB單元示意圖,圖2b是結(jié)構(gòu)化ASIC中的邏輯單元示意圖。圖2c是FPGA的IO單元示意圖,圖2d是結(jié)構(gòu)化ASIC中的IO單元示意圖。
圖3是FPGA和結(jié)構(gòu)化ASIC的邏輯單元用金屬連線配置的對比示意圖,其中a是帶有配置SARM的FPGA,1和0表示配置SRAM中的內(nèi)容;b是帶有金屬連線的結(jié)構(gòu)化ASIC,其中兩個圓點之間的線為定制金屬連線。
圖4是FPGA和結(jié)構(gòu)化ASIC的IO單元用金屬連線配置的對比示意圖,其中a是帶有配置SARM的FPGA,1和0表示配置SRAM中的內(nèi)容;b是帶有金屬連線的結(jié)構(gòu)化ASIC,其中兩個圓點之間的線為定制金屬連線。
圖5是FPGA和結(jié)構(gòu)化ASIC的互聯(lián)資源用金屬連線配置的對比示意圖,其中a是帶有配置SARM的FPGA,1表示配置SRAM中的內(nèi)容;b是帶有金屬連線的結(jié)構(gòu)化ASIC,其中兩個圓點之間的線為定制金屬連線。
具體實施方式
本發(fā)明提出了一種將SRAM型FPGA轉(zhuǎn)成結(jié)構(gòu)化ASIC的方法,該技術(shù)要點如下:
·結(jié)構(gòu)化ASIC采用與FPGA相同的構(gòu)架。即結(jié)構(gòu)化ASIC的制成單元分為邏輯單元和IO單元構(gòu)成,單元之間的互聯(lián)由定制的互聯(lián)金屬層里的金屬連線完成。邏輯單元由不帶配置位的FPGA的CLB構(gòu)成;IO單元由不帶配置位的FPGA的IO構(gòu)成。
·結(jié)構(gòu)化ASIC的邏輯單元和IO單元的配置由定制的互聯(lián)金屬層里的金屬連線分別實現(xiàn)上拉(對應(yīng)于FPGA?SRAM中‘1’的配置)、下拉(對應(yīng)于FPGA?SRAM中‘0’的配置)。
·結(jié)構(gòu)化ASIC的開發(fā)采用FPGA的CAD工具,只是單元庫進行了一定修改(主要是延時特征參數(shù))。能
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