[發明專利]深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法

無效

• 申請號: 200910057944.1
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102034691A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 王雷;吳鵬
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3105;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 陳履忠

1.一種深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，包括如下步驟：

第1步，在已涂有深紫外光刻膠的硅片上進行深紫外光光刻；

第2步，對硅片上的深紫外光刻膠進行任意雜質的離子注入；

第3步，以硅片上的經過離子注入后的深紫外光刻膠作為掩蔽層進行濕法腐蝕；

或者，所述方法的第1步和第2步互換順序。

2.根據權利要求1所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第1步中，所述深紫外光光刻的曝光源為氟化氪準分子激光或氟化氬準分子激光。

3.根據權利要求1所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第1步中，所述硅片表面為硅、氧化硅或氮化硅，所述深紫外光刻膠與硅片表面之間不包括底部抗反射涂層。

4.根據權利要求1所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第2步中，所述離子注入的能量為0.1～10MeV，劑量為1×10¹¹～1×10²⁰atom/cm²。

5.根據權利要求4所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第2步中，所述離子注入的能量為2～50keV，劑量為5×10¹²～1×10¹⁶atom/cm²。

6.根據權利要求1所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第2步中，所述離子注入的雜質為硼、銦、磷、砷、碳、硅的一種或多種。

7.根據權利要求1所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第2步中，所述離子注入的投影射程小于或等于光刻膠的厚度。

8.根據權利要求1所述的深紫外光刻膠用于濕法腐蝕的方法，其特征是，所述方法第2步中，所述離子注入的投影射程大于光刻膠的厚度，即光刻膠和硅片表面同時進行離子注入。