[發明專利]采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法

無效

• 申請號: 200910057907.0
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN102024737A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 林鋼
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步，淺溝隔離刻蝕；

第二步，在淺溝隔離露出的硅表面生長一層犧牲襯墊氧化層；

第三步，犧牲襯墊氧化層剝離；

第四步，氮化硅開窗口；

第五步，在淺溝隔離露出的硅表面生長一層襯墊氧化層。

2.如權利要求1所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第一步具體為：在硅襯底上生長緩沖氧化層，在緩沖氧化層上沉積襯墊氮化硅層，然后刻蝕形成淺溝隔離。

3.如權利要求1或2所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第二步所述生長犧牲襯墊氧化層采用高溫熱氧化工藝，工藝溫度為800-1000℃，該犧牲襯墊氧化層的厚度為100-250埃。

4.如權利要求1或2所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第三步所述犧牲襯墊氧化層剝離采用濕法刻蝕工藝，采用稀釋的HF酸，濃度為10∶1-300∶1。

5.如權利要求2所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第三步所述犧牲襯墊氧化層剝離，在剝離犧牲襯墊氧化層的同時，刻蝕襯墊氮化硅層下面的緩沖氧化層，形成切口。

6.如權利要求2所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第四步采用濕法刻蝕工藝刻蝕襯墊氮化硅層。

7.如權利要求1或2所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第五步所述生長襯墊氧化層采用高溫熱氧化工藝，工藝溫度為800-1100℃，該襯墊氧化層的厚度為100-250埃。

8.如權利要求6所述的采用犧牲襯墊氧化層來改善淺溝隔離角部圓化的方法，其特征在于，第四步所述的濕法刻蝕工藝采用溫度為130-160℃的熱磷酸。