[發明專利]積累型MOS變容管的電學模型有效
| 申請號： | 200910057781.7 | 申請日： | 2009-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN101996263A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發明（設計）人： | 周天舒 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 積累 mos 變容管 電學 模型 | ||
【權利要求書】：
1.一種積累型MOS變容管的電學模型，其特征是，所述電學模型表述為：
Cap是積累型MOS變容管的電容值；
Vgs是積累型MOS變容管柵極與源極之間所加的電壓值，并且柵極作為可變電壓端，源極和漏極短接作為參考電壓端；
tanh()是雙曲正切函數；
c1＝a+b×Wg+c×Lg+d×Wg×Lg
c2＝e×Wg×Lg
a、b、c、d和e均為常數，取值范圍在0到10之間；
Wg和Lg分別為積累型MOS變容管的溝道寬度和溝道長度；
c3和c4為常數，取值范圍在一2到2之間。
2.根據權利要求1所述的積累型MOS變容管的電學模型，其特征是，所述積累型MOS變容管在版圖設計中采用面積型圖形結構的溝道區，即整個溝道區為一塊Lg×Wg的矩形；其中Lg和Wg分別是MOS管的溝道長度和溝道寬度，Lg≤Wg≤10Lg，1×10-6m≤Lg，Wg＜1×10-3m。。
3.根據權利要求1所述的積累型MOS變容管的電學模型，其特征是，所述積累型MOS變容管在版圖設計中采用長條形圖形結構的溝道區，即整個溝道區為多塊Lg×Wg的矩形MOS管單元；Lg為單個MOS管單元的溝道長度，Wg為MOS管的溝道寬度，Wg＞10Lg，1×10-6m≤Lg，Wg＜1×10-3m。
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