[發明專利]保護套刻標記圖形的方法

有效

• 申請號: 200910057780.2
• 申請日: 2009-08-27
• 公開（公告）號: CN101996866A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 闞歡;吳鵬
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/312;G03F7/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種保護套刻標記圖形的方法，其特征是，所述套刻標記圖形已形成于硅片上，所述方法應用于對硅片進行多次光刻，每次光刻后緊跟著進行離子注入的情況，所述多次光刻共用所述套刻標記圖形；

所述方法為：每次光刻時，形成一部分光刻圖形覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方；每次離子注入后，去除光刻膠。

2.根據權利要求1所述的保護套刻標記圖形的方法，其特征是，每次光刻形成的光刻圖形至少包括三部分，第一部分形成刻蝕或離子注入窗口，第二部分用于與套刻標記圖形之間測量套刻精度，第三部分覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方。

3.根據權利要求2所述的保護套刻標記圖形的方法，其特征是，包括如下步驟：

第1步，采用光刻工藝，在硅片表面形成光刻圖形，所述光刻圖形的一部分形成離子注入窗口，另一部分覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方；

第2步，采用離子注入工藝，在所述光刻圖形形成的離子注入窗口進行離子注入；

第3步，去除硅片表面的光刻膠；

重復上述第1-3步，直至完成對硅片進行多次光刻，所述多次光刻共用所述套刻標記圖形。

4.根據權利要求1所述的保護套刻標記圖形的方法，其特征是，所述覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方的光刻圖形與套刻標記圖形相重合的寬度為1μm，所述覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方的光刻圖形與套刻標記圖形不重合的寬度為1μm，所述覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方的光刻圖形的總寬度為2μm。

5.根據權利要求1所述的保護套刻標記圖形的方法，其特征是，所述套刻標記圖形為方環形，所述套刻標記圖形的內邊界為正方形，所述覆蓋在套刻標記圖形的至少是內邊界的上方的光刻圖形也是方環形。