[發明專利]一種低成本高可靠性LED開路保護電路

有效

• 申請號: 200910057695.6
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN101616520A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 張義;趙新江;樓永偉
• 申請（專利權）人: 上海晶豐明源半導體有限公司
• 主分類號: H05B37/00
• 分類號: H05B37/00;H05B37/02;H02H3/12
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 王光輝

1.一種低成本高可靠性LED開路保護電路，包括：相互并聯連接的LED 和輸出電容器Cout，LED的正極連接到電源Vin；電感L1，其一端與LED的 負極相連接；第一MOS晶體管M1，其漏極與電感L1的另一端相連接，源極經 由第一電阻器R1接地；續流二極管D1，其正極連接到第一MOS晶體管M1的 漏極，負極連接到LED的正極；控制第一MOS晶體管M1通斷的控制芯片， 該控制芯片具有使能端en和輸出端口gate、cs，其中輸出端口gate連接到第一 MOS晶體管M1的柵極，而輸出端口cs與第一MOS晶體管M1的源極相連接； 其特征在于，進一步包括晶體管負反饋控制模塊，所述晶體管負反饋控制模塊 包括第一雙極型晶體管Q1、第二雙極型晶體管Q2、第二電阻器R2和第三電阻 器R3，其中第一雙極型晶體管Q1的發射極經由第二電阻器R2連接到所述LED 的正極，第一雙極型晶體管Q1的基極連接到所述LED負極，第一雙極型晶體 管Q1的集電極連接到第二雙極型晶體管Q2的基極和第三電阻器R3的一端， 第三電阻器R3的另一端與第二雙極型晶體管Q2的發射極共接到地，第二雙極 型晶體管Q2的集電極連接到所述控制芯片的使能端en；該控制模塊對LED兩 端的輸出電壓進行采樣，并產生輸出到所述控制芯片的使能端en的輸出信號， 以控制第一MOS晶體管M1的通斷。

2.如權利要求1所述的低成本高可靠性LED開路保護電路，其特征在于， 所述第一雙極型晶體管Q1為PNP型晶體管，所述第二雙極型晶體管Q2為NPN 型晶體管。

3.一種低成本高可靠性LED開路保護電路，包括：相互并聯連接的LED和 輸出電容器Cout，LED的正極連接到電源Vin；電感L1，其一端與LED的負 極相連接；第一MOS晶體管M1，其漏極與電感L1的另一端相連接，源極經由 第一電阻器R1接地；續流二極管D1，其正極連接到第一MOS晶體管M1的漏 極，負極連接到LED的正極；控制第一MOS晶體管M1通斷的控制芯片，該 控制芯片具有使能端en和輸出端口gate、cs，其中輸出端口gate連接到第一 MOS晶體管M1的柵極，而輸出端口cs與第一MOS晶體管M1的源極相連接； 其特征在于，進一步包括晶體管負反饋控制模塊，所述晶體管負反饋控制模塊 包括第二MOS晶體管M2、第三MOS晶體管M3、第二電阻器R2和第三電阻 器R3，其中第二MOS晶體管M2的源極經由第二電阻器R2連接到所述LED 的正極，第二MOS晶體管M2的柵極連接到所述LED負極，第二MOS晶體管 M2的漏極連接到第三MOS晶體管M3的柵極和第三電阻器R3的一端，第三電 阻器R3的另一端與第三MOS晶體管M3的源極共接到地，第三MOS晶體管 M3的漏極連接到所述控制芯片的使能端en；該控制模塊對LED兩端的輸出電 壓進行采樣，并產生輸出到所述控制芯片的使能端en的輸出信號，以控制第一 MOS晶體管M1的通斷。

4.如權利要求3所述的低成本高可靠性LED開路保護電路，其特征在于， 所述第二MOS晶體管M2為PMOS晶體管，所述第三MOS晶體管M3為NMOS 晶體管。

5.如權利要求1-4中任一項所述的低成本高可靠性LED開路保護電路，其 特征在于，進一步包括連接在電源Vin和地之間的去耦電容器Cin。