[發(fā)明專利]倒裝發(fā)光二極管的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910057583.0
• 申請日: 2009-07-09
• 公開（公告）號: CN101593801A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發(fā)明（設計）人: 顏建鋒;郝茂盛;李淼;周健華;潘堯波;袁根如;陳誠;李士濤;張國義
• 申請（專利權(quán)）人: 上海藍光科技有限公司;彩虹集團公司;北京大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/782;H01L21/784;H01L27/15
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 孫大為

1.一種倒裝發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、先在襯底表面制造出周期性排列的微結(jié)構(gòu)圖形；

步驟二、在所述具有微結(jié)構(gòu)圖形的襯底表面制備發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，并分別制備P電極和N電極；

步驟三、從所述襯底的背面采用激光照射所述襯底，使所述襯底與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)分離，從而將所述襯底上的微結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移至所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中靠近N層的一側(cè)表面；所述步驟一中微結(jié)構(gòu)圖形為一維或者二維排列的鋸齒型/矩形/梯形周期性微結(jié)構(gòu)圖形，或是二維結(jié)構(gòu)的圓柱型、圓錐型、梯形、方型。

2.如權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于：所述微結(jié)構(gòu)圖形中每個微結(jié)構(gòu)圖形周期的寬度在0.05-15μm，所述微結(jié)構(gòu)圖形的高度為0.05-15μm。

3.如權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于：所述發(fā)光二極管為氮化鎵基發(fā)光二極管，所述氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為依次外延生長氮化鎵成核層、未摻雜的氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、p型AlGaN層和p型氮化鎵層，所述步驟三中激光照射使所述襯底與所述未摻雜氮化鎵層分離，使所述微結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移至所述未摻雜氮化鎵層表面。

4.如權(quán)利要求2所述的倒裝發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于：所述發(fā)光二極管為氮化鎵基發(fā)光二極管，所述氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為依次外延生長氮化鎵成核層、未摻雜的氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、p型AlGaN層和p型氮化鎵層，所述步驟三中激光照射使所述襯底與所述未摻雜氮化鎵層分離，使所述微結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移至所述未摻雜的氮化鎵層表面。

5.如權(quán)利要求3所述的倒裝發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于：在所述步驟二中外延生長未摻雜的氮化鎵層前先在所述微結(jié)構(gòu)圖形表面生長氮化鎵緩沖層。

6.如權(quán)利要求1所述的倒裝氮化鎵基發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，還包括倒裝焊接步驟：將所述襯底剝離后的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和制備有反射層的硅襯底進行倒裝焊接。