[發明專利]監測膜厚均勻性的方法

無效

• 申請號: 200910057470.0
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN101930938A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 孫玲玲
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 陳履忠

1.一種監測膜厚均勻性的方法，其特征是，包括如下步驟：

第1步，在一個硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一個或多個測量點測量膜厚，取硅片邊緣位置的一個或多個測量點測量膜厚；

第2步，將硅片中心位置一個或多個測量點的膜厚平均值減去硅片邊緣位置一個或多個測量點的膜厚平均值，得到一個具有正負的差值；

第3步，當所述差值在預設的正常范圍內，則判定所述薄膜膜厚的中心邊緣差合格；否則即判定所述薄膜膜厚的中心邊緣差不合格。

2.根據權利要求1所述的監測膜厚均勻性的方法，其特征是，所述硅片中心位置的測量點在以硅片中心為圓心，硅片半徑的10％為半徑的圓形內；所述硅片邊緣位置的測量點在以硅片中心為圓心，硅片半徑的70％為內半徑，硅片半徑的90％為外半徑的環形內。

3.根據權利要求2所述的監測膜厚均勻性的方法，其特征是，所述硅片中心位置的測量點在以硅片中心為圓心，硅片半徑的5％為半徑的圓形內；所述硅片邊緣位置的測量點在以硅片中心為圓心，硅片半徑的75％為內半徑，硅片半徑的85％為外半徑的環形內。

4.根據權利要求1所述的監測膜厚均勻性的方法，其特征是，所述薄膜為采取高密度等離子體化學氣相淀積工藝形成的薄膜。

5.根據權利要求3或4所述的監測膜厚均勻性的方法，其特征是，所述硅片為8英寸硅片。