[發(fā)明專利]快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910057413.2 | 申請日： | 2009-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN101924052A | 公開（公告）日： | 2010-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊欣;孫勤 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 快速 檢測 外延 圖形 漂移 缺陷 方法 | ||
1.一種快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)光刻；
(2)刻蝕定義出離子注入?yún)^(qū)圖形；
(3)采用小分子量利于低溫激活的離子注入源進(jìn)行離子注入，所述低溫為1150℃以下；
(4)去膠；
(5)外延生長，對步驟(3)的注入離子進(jìn)行激活；
(6)懷特刻蝕；
(7)用電子掃描電鏡觀測外延圖形漂移缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(1)采用KrF光刻膠，形成光刻膠的厚度為3000～20000埃。
3.如權(quán)利要求1所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(2)采用干法刻蝕。
4.如權(quán)利要求1所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(3)中所述的離子注入源為硼、磷、或砷。
5.如權(quán)利要求1或2所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(3)采用硼離子10Kev～100Kev，1E12～1E16，傾斜0～7度角注入。
6.如權(quán)利要求1所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(4)采用濕法洗凈去膠。
7.如權(quán)利要求1所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(5)中外延生長時的溫度為700℃～1200℃，利用該溫度對步驟(3)的注入離子進(jìn)行激活。
8.如權(quán)利要求1所述的快速檢測外延圖形漂移缺陷的方法，其特征在于，步驟(6)采用的懷特刻蝕溶液由300ml氫氟酸、150ml硝酸、75g鉻酸錳、10g硝酸銅、300ml去離子水和300ml醋酸組成，刻蝕速率為0.9-1微米/分鐘，對硅片圖形注入?yún)^(qū)定位做橫截面切片，該切片是懷特刻蝕外延層厚度的30％，之后用去離子水沖洗，再用氮?dú)飧稍铩?/p>
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
