[發明專利]液晶顯示裝置及該液晶顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910057266.9
• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101887199A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 馬駿;黃長虹;袁方;吳勇;凌志華
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G03F7/36;H01L21/84
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示裝置及該液晶顯示裝置的制造方法。

背景技術

液晶顯示裝置因具有體積小、低輻射、低耗電等特性而被廣泛應用在移動電話、個人數字助理、筆記本電腦、個人計算機和電視領域。出于控制背光功率和戶外顯示特性的考慮，很多液晶顯示裝置的顯示屏都采用了反射模式，利用反射區域反射外界光來實現補償亮度的效果，因此，反射率和反射視角都是技術上需要考慮的部分。通常，液晶顯示裝置的顯示屏的反射模式包括半反半透模式和全反射模式。

為了增加液晶顯示裝置的顯示屏反射區域的反射率和反射視角，通常在該反射區域設置凸起(Bump)?，F有技術中，該凸起是采用具有高感光特性、低介電常數的有機膜材料，利用光刻使其形成眾多凸起狀圖型，再通過加溫烘烤使有機膜圖型受熱后塌下形成拱形凸起結構，最后在上面濺射金屬形成反射膜，完成反射區域。該方法使得該凸起表面光滑以增加反射率，同時由于該凸起可以使入射光向各個方向散射，可以得到比較好的反射視角。

上述方法采用的有機膜由于具有高的光學透過性、低介電常數以及良好的成膜均勻性等特點，其價格很高，不利于降低該液晶顯示裝置的顯示屏的制作成本。且該有機膜在加熱坍塌后尺寸偏大，進而形成的凸起的尺寸較大，如果增加凸起的密度，烘塌后相鄰凸起連接在一起形成片，導致整個反射區域內凸起密度的下降，從而降低了該液晶顯示裝置的顯示屏的反射率。

發明內容

為了解決現有技術中的液晶顯示裝置的反射式顯示屏的制造成本高、反射率低的技術問題，有必要提供一種制造成本低且反射率高的液晶顯示裝置的制造方法。

本發明還提供一種制造成本低且反射率高的液晶顯示裝置。

一種液晶顯示裝置反射區凸起的制造方法，包括如下步驟：提供一基板，在該基板沉積無機絕緣層；在該無機絕緣層需要形成凸起的位置覆蓋光阻；向覆蓋有該無機絕緣層和該光阻的基板提供刻蝕氣體，去除該光阻，以使該無機絕緣層覆蓋有該光阻的部分形成表面呈曲面的凸起。

一種液晶顯示裝置，包括一基板，該基板的表面形成有多個陣列排布的像素單元，每一該像素單元包括薄膜晶體管區和反射區，該反射區包括至少一個表面呈曲面的凸起，該凸起由無機絕緣材料形成。

其中，該凸起呈半球形或橢球形。該無機絕緣材料是氮化硅或氧化硅。該凸起的最大寬度處的寬度取值范圍為2μm～5μm，該凸起的高度為300nm。該液晶顯示裝置是全反射式液晶顯示裝置或者半穿半反式液晶顯示裝置。該光阻的厚度為1.3μm。

在向覆蓋有該無機絕緣層和該光阻的基板提供刻蝕氣體的步驟中，還包括調整該刻蝕氣體的氣壓以調整該凸起表面的彎曲度。

在該無機絕緣層需要形成凸起的位置覆蓋光阻的步驟中，還包括調整該光阻的厚度以調整該凸起形成的高度。

與現有技術相比，本發明的液晶顯示裝置的反射區凸起的制造方法，通過在該無機絕緣層表面將要形成凸起的位置覆蓋該光阻，使該基板覆蓋該無機絕緣層和該光阻的表面凸凹不平，從而使該刻蝕氣體在該無機絕緣層沒有覆蓋該光阻的部分、該光阻邊緣區域、該光阻中央區域附近的分布濃度依次減小，該無機絕緣層沒有覆蓋該光阻的部分、該光阻的邊緣區域、該光阻的中央區域的刻蝕速度依次減小。從而使該無機絕緣層被刻蝕形成表面平滑的凸起，進而減少了照射到該凸起上光線的吸收，提高了反射率。本發明的液晶顯示裝置的反射區凸起的制造方法較使用具有高感光特性、低介電常數的有機膜材料的制造方法成本低。

附圖說明

圖1是一種具有反射區凸起的液晶顯示裝置的單個像素區域的截面結構示意圖。

圖2至圖6是本發明較佳實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的各步驟示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面結合附圖對本發明作進一步的詳細描述。

請參閱圖1，圖1是一種具有反射區凸起的液晶顯示裝置的單個像素區域的截面結構示意圖。該液晶顯示裝置10是一半穿半反液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置10包括一基板11，該基板11的表面形成有多個陣列排布的像素單元，每一像素單元劃分為薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)區12，穿透區13和反射區14。薄膜晶體管設置于該薄膜晶體管區12，該薄膜晶體管包括依次設置于該基板11表面的柵極121，柵極絕緣層122、半導體島123和源/漏極124。優選的，該柵極絕緣層122由無機絕緣材料形成，該無機絕緣材料為氮化硅(SiNx)或氧化硅。該源/漏極124和該半導體島123上還可以形成有鈍化層，該鈍化層也由無機絕緣材料形成。