[發明專利]超級結MOSFET的制作方法

無效

• 申請號: 200910057132.7
• 申請日: 2009-04-24
• 公開（公告）號: CN101872724A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 繆燕;謝烜;肖勝安
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/31;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在N-型外延硅片上生長氧化膜作為下面要成長的介質膜的緩沖層，然后再在硅片上成長作為介質膜的氮化硅；

(2)利用光刻形成溝槽的圖形；

(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻膠作掩膜完成溝槽的刻蝕；

(4)利用外延工藝將P-型外延填入溝槽；

(5)利用多晶硅將溝槽填滿；

(6)利用氮化硅作為阻擋層，進行多晶硅和P-型外延的回刻蝕或化學機械研磨；

(7)將氮化硅膜和氧化硅膜去除得到交替的P-型和N-型結構；

(8)利用現有成熟工藝形成柵氧化，多晶硅柵極，P型阱，源極，P+接觸區，接觸孔，表面金屬，背面金屬，得到MOSFET器件。

2.根據權利要求1所述的超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步驟(5)中利用多晶硅將溝槽填滿之前先成長一層介質膜。

3.一種超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在N-型外延硅片上生長氧化膜作為下面要成長的介質膜的緩沖層，然后再在硅片上成長作為介質膜的氮化硅；

(2)利用光刻形成溝槽的圖形；

(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻膠作掩膜完成溝槽的刻蝕；

(4)利用外延工藝將P-型外延填入溝槽；

(5)利用多晶硅將溝槽填滿；

(6)通過回刻或者研磨去除氮化硅和氧化硅層上面的多晶硅和P-型外延；

(7)將氮化硅膜和氧化硅膜去除，通過化學機械研磨得到平坦且交替的P-型和N-型結構；

(8)利用現有成熟工藝形成柵氧化，多晶硅柵極，P型阱，源極，P+接觸區，接觸孔，表面金屬，背面金屬，得到MOSFET器件。

4.根據權利要求3所述的超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步驟(5)中利用多晶硅將溝槽填滿之前先成長一層介質膜。

5.一種超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在P-型外延硅片上生長氧化膜作為下面要成長的介質膜的緩沖層，然后再在硅片上成長作為介質膜的氮化硅；

(2)利用光刻形成溝槽的圖形；

(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻膠作掩膜完成溝槽的刻蝕；

(4)利用外延工藝將N-型外延填入溝槽；

(5)利用多晶硅將溝槽填滿；

(6)利用氮化硅作為阻擋層，進行多晶硅和N-型外延的回刻蝕或化學機械研磨；

(7)將氮化硅膜和氧化硅膜去除得到交替的N-型和P-型結構；

(8)利用現有成熟工藝形成柵氧化，多晶硅柵極，N型阱，源極，N+接觸區，接觸孔，表面金屬，背面金屬，得到MOSFET器件。

6.根據權利要求5所述的超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步驟(5)中利用多晶硅將溝槽填滿之前先成長一層介質膜。

7.一種超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在P-型外延硅片上生長氧化膜作為下面要成長的介質膜的緩沖層，然后再在硅片上成長作為介質膜的氮化硅；

(2)利用光刻形成溝槽的圖形；

(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻膠作掩膜完成溝槽的刻蝕；

(4)利用外延工藝將N-型外延填入溝槽；

(5)利用多晶硅將溝槽填滿；

(6)通過回刻或者研磨去除氮化硅和氧化硅層上面的多晶硅和N-型外延；

(7)將氮化硅膜和氧化硅膜去除，通過化學機械研磨得到平坦且交替的N-型和P-型結構；

(8)利用現有成熟工藝形成柵氧化，多晶硅柵極，N型阱，源極，N+接觸區，接觸孔，表面金屬，背面金屬，得到MOSFET器件。

8.根據權利要求7所述的超級結MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步驟(5)中利用多晶硅將溝槽填滿之前先成長一層介質膜。